非易失性儲存器在高階節點上變得越來越複雜，在高階節點上的**和速度，功率和利用率正在成為一些非常特定於應用程式的折衷，以決定該儲存器的放置位置。
nvm可以嵌入到晶元中，也可以使用各種型別的互連技術將其移出晶元。但是這個決定比它最初看起來要複雜得多。它取決於過程節點和電壓，nvm的型別以及其中儲存的內容以及整個晶元或系統的預算。
效能最高的處理器使用的工藝幾何尺寸最小，這反過來將對nvm提出最高要求。nvm面臨的一些挑戰是在較小的幾何尺寸上擴充套件容量的相對困難，以及需要實施更高的電壓來對單元進行程式設計。在更精細的工藝幾何尺寸下，可能需要更多的裸片面積來支援額外的處理核心所需的容量，並且可能需要額外的製造成本來支援更高的電壓。
這已成為在較小幾何尺寸的功率/效能改進與可以經濟高效地嵌入多少記憶體之間的一種平衡方法。
在非易失性儲存器中，當降至40nm以下時，嵌入它的成本將變得非常高，因此可能最終會在內部使用更多的sram，但隨後將nvm委託給外部裝置。但是這樣做時，挑戰就變成了具有足夠的頻寬效能以能夠以省電的方式執行。
一些mcu公司正在轉向外部儲存器而不是內部儲存器，並使用效能更高的八進位制nvm來做到這一點。
這樣做的優點之一是簡單。因此，裸nand裝置正趨向於固態驅動器和儲存卡，對需要直接與裸nand介面的裝置（不包括儲存控制器）的要求越來越少。
隨著spi（序列外設介面）匯流排上裝置的多樣性增加，以及高速spi介面（特別是四路spi，八路spi，xspi）的氾濫，它已經成為一種非常有趣的匯流排，除了啟動並直接執行之外公交車。這種方法在恩智浦不具有片上嵌入式儲存器的微控制器系列中很明顯。
非易失性儲存器EEPROM
非易失性儲存器主要是用來存放固定資料 韌體程式等一般不需要經常改動的資料。目前主流非易失性儲存器主要有eeprom mram flash fram。eeprom選型 eeprom特點 eeprom解決了傳統rom otp只能出廠前或一次性固化程式而不利於除錯的問題 也突破了eprom必須離線用紫外線...
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everspin非易失性儲存器中mram的潛在用途 與電子電荷儲存的資料可能會因使用情況，時間和溫度而洩漏和擊穿的相反，mram 磁性隨機訪問儲存器 使用1個電晶體 1個磁性隧道結 mtj 體系結構作為mtj的磁態作為資料儲存元素。由於mram將資料儲存為磁性狀態，因此與現有的非易失性儲存器相比，它...
幾種非易失性儲存器的比較
sram為資料訪問和儲存提供了乙個快速且可靠的手段。由系統電源或其他備用電源 如電池 供電時，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性儲存器儲存技術的優缺點。表1非易失性儲存器比較 nvsram中的電池對於資料儲存來說至關重要。電池的不良接觸會極大地影響電池壽命。其他因素，如震動 濕度以及內...