非易失性記憶體

非易失性儲存器:是指當電流關掉後，所儲存的資料不會消失的電腦儲存器。非易失性儲存器中，依儲存器內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即rom和flash memory。

編輯非易失性儲存器主要有以下型別：

flash memory（快閃儲存器）

prom：其內部有行列式的鎔絲，可依使用者（廠商）的需要，利用電流將其燒斷，以寫入所需的資料及程式，鎔絲一經燒斷便無法再恢復，亦即資料無法再更改。

eprom：可利用高電壓將資料程式設計寫入，但抹除時需將線路**於紫外線下一段時間，資料始可被清空，再供重複使用。因此，在封裝外殼上會預留乙個石英玻璃所製的透明窗以便進行紫外線**。寫入程式後通常會用貼紙遮蓋透明窗，以防日久不慎**過量影響資料。

otprom：內部所用的晶元與寫入原理同eprom，但是為了節省成本，封裝上不設定透明窗，因此程式設計寫入之後就不能再抹除改寫。

eeprom：運作原理類似eprom，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。

快快閃儲存器儲器：是一種電子式可清除程式化唯讀儲存器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的儲存器。這種科技主要用於一般性資料儲存，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸資料，如儲存卡與u盤。快閃儲存器是一種特殊的、以巨集塊抹寫的eeprom。早期的快閃儲存器進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的資料。

ram為常說的記憶體，比如手機的2g記憶體4g記憶體等，就是程式跑起來的時候所占用的儲存空間，特點是掉電資料丟失。

rom為常說的硬碟，比如手機的64g和128g等，可以簡單的理解為硬碟的儲存空間，特點是掉電資料不丟失，所以又叫「非易失性儲存器件」。

rom又包含：eeprom和flash。