everspin非易失性儲存器中mram的潛在用途
與電子電荷儲存的資料可能會因使用情況，時間和溫度而洩漏和擊穿的相反，mram（磁性隨機訪問儲存器）使用1個電晶體–1個磁性隧道結（mtj）體系結構作為mtj的磁態作為資料儲存元素。由於mram將資料儲存為磁性狀態，因此與現有的非易失性儲存器相比，它具有許多重要的優勢。與其他非易失性解決方案相比，mram的優勢在於：
•像不揮發一樣閃爍
•無程式設計/擦除週期（最快的寫入週期）
•快速的sram介面
•對稱的讀/寫週期
•位元組定址能力
•並行（x16）介面的35ns/2bytes
•帶有序列介面的0.4us/2bytes（使用工作在40mhz的spi介面）
•無限耐力（無限使用）
•長期保留資料（高溫下超過20年）
帶有動力總成微控制器演示的mram
團隊（以及迄今為止的行業）面臨的挑戰之一是，這些新的記憶體技術（例如mram（目前已嵌入到某些處理器中））尚未嵌入動力總成晶元中。因此，在此演示中，團隊採用了一種離散的「處理器外」解決方案。在此演示中，團隊設計了mram評估板以與powertrain微控制器母板介面。開發了新的低階驅動器（lld），以取代動力總成晶元**商提供的lld。在本演示中，新修訂的lld用於驗證序列/並行mram協議，不同模式下的讀/寫操作以及時序週期要求（通過在具有各種時鐘頻率的原型板上執行應用程式）。
非易失性儲存器EEPROM
非易失性儲存器主要是用來存放固定資料 韌體程式等一般不需要經常改動的資料。目前主流非易失性儲存器主要有eeprom mram flash fram。eeprom選型 eeprom特點 eeprom解決了傳統rom otp只能出廠前或一次性固化程式而不利於除錯的問題 也突破了eprom必須離線用紫外線...
非易失性儲存器平衡方法
非易失性儲存器在高階節點上變得越來越複雜，在高階節點上的 和速度，功率和利用率正在成為一些非常特定於應用程式的折衷，以決定該儲存器的放置位置。nvm可以嵌入到晶元中，也可以使用各種型別的互連技術將其移出晶元。但是這個決定比它最初看起來要複雜得多。它取決於過程節點和電壓，nvm的型別以及其中儲存的內容...
幾種非易失性儲存器的比較
sram為資料訪問和儲存提供了乙個快速且可靠的手段。由系統電源或其他備用電源 如電池 供電時，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性儲存器儲存技術的優缺點。表1非易失性儲存器比較 nvsram中的電池對於資料儲存來說至關重要。電池的不良接觸會極大地影響電池壽命。其他因素，如震動 濕度以及內...