nv-sram模組不僅可以快速且可靠的儲存資料，而且在封裝技術方面也很有競爭力。這些器件適用於需要安全資料儲存以及幾乎不需要現場維護的場合。
因此將比較它需要多長時間來擦除64kb資料及寫入新資料。最後必須知道製造商提到功耗時並不是使用一致的標準。某些裝置可能指定在vcc=1.8v下工作，但其資料表提供的卻是vcc=2.5v。此處所用的數值是資料表中規定的最差情況數值。
序列資料快閃儲存器擦除頁/扇區時，需要耗用大量的能量，因為這些操作耗時較長。eeprom與快閃儲存器使用輪詢(polling)技術而不是等待一段最差情況所需的時間來完成操作，從而減少了兩者的能量要求。資料表沒有清楚顯示當寫入/擦除完成時，寫入/擦除週期中消耗的電流是否自動逐步減少或是否繼續。
非易失nv-sram通常用於要求維護次數盡可能少，頻繁進行讀/寫操作，並且資料儲存速度是至關重要的系統中。數控銑床就是乙個例子。假設機器正在進行銑操作的時候突然斷電。出於安全考慮，需要撤出鑽頭並將其停放在乙個安全位置。一旦上電，機器必須記住停止工作的點。有了nv-sram模組，這一任務是很容易實現的。選擇的保持時間應等於或大於向eeprom中儲存程式資訊所需的時間。在資料寫入eeprom之前，仍然需要sram充當資料快取。採用這一方案，附加元件的費用通常要超出nv-sram模組的成本，並且可靠性較低。
在防篡改應用，特別是在pos終端中，資料記錄非常重要。如今的智慧型終端無須經過耗時的遠端伺服器的驗證就能確認付款交易。由於安全資料儲存於終端內部，因此這裡完全依靠單片bga模組。安全微控制器可以將金鑰存放在lc內部的「安全區」內。然而，仍然需要採取一些額外措施，以防止存放在微控制器之外sram中的加密資料被讀取和解碼。目前所能提供的保護措施尚不足以對付那些狡猾的黑客。針對這一問題，也有一些解決方案，例如naxidallassermconductor推出了定製的ba模組，包含安全微控制器、sram篡改檢測電路，以及定時和控制功能。
NVSRAM 不再需要電池的非易失性儲存方案
本文首先對目前市場上各種非易失性儲存器進行了比較，其次對nvsram的工作原理和工作方式進行詳細的闡述，同時，以cypress nvsram為例描述了nvsram獨有的特點，最後結合市場的應用對nvsram的應用進行介紹。非易失性儲存器比較 目前非易失性儲存實現方式主要有如下三種 micro pow...
非易失性WAL buffer
今天看到pg郵件列表裡有非易失性內存在pg應用的討論，做下記錄，接著學習其補丁，如何將wal buffer改造成非易失性buffer，以及和之前有和區別。該補丁是也是日本ntt公司提供。提出了乙個概念證明的新特性 非易失wal buffer 通過將非易失記憶體 pmem 替代dram，不需要將wal...
非易失性記憶體
非易失性儲存器 是指當電流關掉後，所儲存的資料不會消失的電腦儲存器。非易失性儲存器中，依儲存器內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即rom和flash memory。編輯非易失性儲存器主要有以下型別 flash memory 快閃儲存器 prom 其內部有行列式的鎔絲，可依使...