本篇文章要介紹的是非易失性儲存器eeprom與記憶體flash消耗能量計算。
首先，我們來看看非易失性儲存器在典型的3.3v eeprom寫入過程中所消耗的能量待機電流為1μa，寫入時間為5 ms，寫入電流為3 ma（表1）。我們假設：一旦vdd上公升到工作限制內（上電時間），eeprom就準備開始工作零）。
•寫入的資料量適合一頁，並且使用塊寫入功能進行寫入。
•eeprom的寫入時間僅是執行eeprom的寫入操作所需的時間，因此我們忽略mcu和spi介面的任何處理和通訊時間。（這個假設是相反的用於mram的； mram只需要通訊時間，因為寫入時間很短，因此它可以被視為零。）
•eeprom直接由微控制器i / o供電，並使用乙個小的（0.1μf）去耦電容。
記憶體flash消耗的能量
記憶體flash具有更高的寫入和待機電流，因此我們將使用50μa的待機電流（寫入時間）在我們的評估中為3 ms，寫入電流為15 ma（表2）。如上所述，我們假設通電時間為零，資料適合一頁，並且寫入時間很長，我們可以忽略通訊時間。另外，我們假設快閃儲存器寫入到已擦除的頁面。
結論非易失性儲存器的寫入時間會極大地影響系統的總能耗。對於低占空比的系統，這種影響不太明顯，但是隨著採集速率的提高，這種影響變得更加明顯。
eeprom和快閃儲存器的寫入時間顯著增加了mcu的能耗，因為它們使mcu的活動時間更長。如果在寫入eeprom和快閃儲存器完成時mcu處於睡眠模式，則可以降低能耗。但是，eeprom或快閃儲存器消耗的能量代表了系統的大部分能耗，因此使mcu處於睡眠模式不會對總體能耗產生重大影響。很明顯，通過功率門控的快速寫入，非易失性儲存器可以實現最低的能耗。
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002 eeprom與flash的特點
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