新式儲存器技術隊伍包括mram、pcram和reram，受惠技術、材料、裝置等環節的關鍵突破，正邁向大規模量產的路上，眼前我們正處於見證儲存器歷史的轉折點。新式儲存器可分為獨立型產品，以及嵌入於邏輯工藝，用於取代部分傳統的嵌入式快快閃儲存器儲器eflash技術，而在嵌入式技術上，趨勢已快速成熟中。但用於獨立型儲存器上，目前還有效能、成本的問題待克服。
mram為磁性隨機訪問儲存器，架構是在電晶體中的儲存單元就在後端互聯，甚至不占用「矽」的面積，可以做到直接嵌入到邏輯的電路裡，因此可以做的非常小，乙個電晶體乙個儲存單元。
再者pcram就是相變隨機訪問儲存器，以及reram是叫電阻隨機訪問儲存器，比mram更有吸引力之處在於，這兩種新式儲存技術可以跟nand一樣，實現3d三維的架構。
可以說新式儲存器的應用範圍很廣，但若把其效益發揮至最大值，先鎖定兩大應用：物聯網、雲計算和大資料中心。
我們常常講的物聯網，就是所謂的邊緣終端、邊緣裝置。現在的邊緣裝置架構，就是乙個邏輯晶元加上乙個sram晶元，其中sram的功能是計算，然後再加乙個3dnand晶元，用來儲存演算法/軟體/**。
所謂「邊緣」，就是因為沒有連線，無法通電，這時候功耗的問題就很重要，因為功耗決定可以用多長的時間。
這時，mram就可以替代sram的功能。因為sram是不用的時候也在耗電，甚至還漏電，但有些邊緣裝置可能99%的時間都在待機，如果用mram部分取代sram，就可以改善很多的功耗問題。
3dnand也一樣，它實際上是高電壓的器件，若是部分用mram部分取代3dnand也可以達到降低功耗的目的。
mram有兩大優點，第一是待機的時候不耗電，第二是比快閃儲存器便宜很多，若論缺點，則是mram的速度還沒有到sram等級。例如物聯網大量使用的mcu等，mram就非常適合使用。
接著來看雲端和大資料中心。這塊領域有三個挑戰。首先是海量資料的湧入，再來是需要快速進行運算，第三個關鍵仍是回到功耗。
目前主流的架構是dram再加上ssd去儲存資料，但要如何做到用新型的儲存器來提高效能？
方法一，是把dram部分取代掉，因為從功耗角度，dram有功耗到問題。再者pcram、reram可以做3d架構後，在成本上具備優勢。
方法二，是把ssd部分取代。ssd的優勢是便宜，受惠3dnand堆疊技術成熟，現在128層堆疊都要量產，3dnand成本越來越低，但弱點卻是效能。
如果用pcram、reram取代部分dram，一來同樣可以實現3d架構，二來效能要比ssd好很多。
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