dram是一種半導體儲存器，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表乙個二進位制bit是1還是0。與sram相比的dram的優勢在於結構簡單,每乙個bit的資料都只需乙個電容跟乙個電晶體來處理，相比之下在sram儲存晶元上乙個bit通常需要六個電晶體。因此dram擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。儲存晶元**商宇芯電子本篇文章主要介紹關於dram的基本知識。
dram儲存原理
dram的每一位儲存單元採用乙個電晶體和小電容來實現。若寫入位為「1」，則電容被充電:若寫入位為「0」，則電容不被充電。讀出時用電晶體來讀與之相連的電容的電荷狀態。若電容被充電，則該位為「1」;若電容沒有被充電，則該位為「o」。
由於電容存在漏電阻，因此每個位單元都必須不斷地、周期性地對進行充電，以維持原來的資料不丟失，此行為稱之為重新整理。
dram特點
由於每個儲存位僅用乙個電晶體和小電容，因此整合度比較高。就單個晶元的儲存容量而言，dram可以遠遠超過sram;就相同容量的晶元而言，dram的**也大大低於sram。這兩個優點使dram成為計算機記憶體的主要角色。dram的行列位址分時復用控制和需要重新整理控制，使得它比sram的介面要複雜一些。dram的訪問速度一般比sram要慢。
dram推薦型號
sram與dram的區別
sram
1.速度快
2.不需要重新整理可保持資料
3.無需mcu帶特殊介面
4.容量小，256kb-16mb
5.整合度低，單位容量**高
6.靜態功耗低，執行功耗大
dram
1.速度較慢
2.需要重新整理來保持資料
3.需要mcu帶外部儲存控制器
4.容量大，16mb-4gb
5.整合度高，單位容量**低
6.執行功耗低
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