今天看到pg郵件列表裡有非易失性內存在pg應用的討論，做下記錄，接著學習其補丁，如何將wal buffer改造成非易失性buffer，以及和之前有和區別。該補丁是也是日本ntt公司提供。
提出了乙個概念證明的新特性：「非易失wal buffer」。通過將非易失記憶體（pmem）替代dram，不需要將wal記錄寫入wal段檔案即可將其持久化。減少了wal拷貝和write事務的時間，從而提公升資料庫效能。
pmem[1]可插到dimm槽，具有快速、非易失、位元組定址的特性。已生產有該特性的產品。nvdimm-n是pmem模組的一種，包含dram和nand flash，可以像訪問dram一樣訪問nvdimm-n。斷點時，將內容寫到flash域。加電重啟時將flash內容重新拷貝回去即dram。大多數作業系統linux和windows都支援pmem和持久記憶體開發集（pmdk）[2]。未來資料庫管理系統也將支援pmem。
pmem比ssd更快，原生支援作為塊儲存使用。但是傳統的軟體棧並不能將其紅利充分發揮出來，比如使用者buffers、檔案系統和塊層。非易失wal buffer使pg適配pmem，即像訪問ram一樣直
非易失性記憶體
非易失性儲存器 是指當電流關掉後，所儲存的資料不會消失的電腦儲存器。非易失性儲存器中，依儲存器內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即rom和flash memory。編輯非易失性儲存器主要有以下型別 flash memory 快閃儲存器 prom 其內部有行列式的鎔絲，可依使...
非易失性Flash詳解
flash 快閃或快閃儲存器 由intel公司於1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和程式設計的非易失性儲存器，其快速是相對於eeprom而言的。flash從晶元工藝上分為nor flash和nand flash兩大類。nor flash nor flash的特點是晶元內執行 xip 應用程式可...
非易失性MRAM讀寫操作
高密度mram具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的資料保留能力和耐久性，適用於廣泛的應用。單元面積僅為0.0456平方微公尺，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8ma mhz b，在低功耗待機模式 lpsb 下，其在25c時的洩漏電流小於55ma，相當於每位元的漏電流僅為1.7e 12a。對於3...