sram為資料訪問和儲存提供了乙個快速且可靠的手段。由系統電源或其他備用電源（如電池）供電時，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性儲存器儲存技術的優缺點。
表1非易失性儲存器比較
nvsram中的電池對於資料儲存來說至關重要。電池的不良接觸會極大地影響電池壽命。其他因素，如震動、濕度以及內建的電池切換電路都會縮短電池的使用壽命，同時也會影響系統的整體可靠性。這些問題帶來的最直接的後果是∶終端客戶更換電池的時間間隔更短了，例如每年就需要更換一次，而不是5~10年一次。
nv-sram模組不僅可以快速且可靠的儲存資料，而且在封裝技術方面也很有競爭力。這些器件適用於需要安全資料儲存以及幾乎不需要現場維護的場合。
非易失性儲存器EEPROM
非易失性儲存器主要是用來存放固定資料 韌體程式等一般不需要經常改動的資料。目前主流非易失性儲存器主要有eeprom mram flash fram。eeprom選型 eeprom特點 eeprom解決了傳統rom otp只能出廠前或一次性固化程式而不利於除錯的問題 也突破了eprom必須離線用紫外線...
非易失性儲存器平衡方法
非易失性儲存器在高階節點上變得越來越複雜，在高階節點上的 和速度，功率和利用率正在成為一些非常特定於應用程式的折衷，以決定該儲存器的放置位置。nvm可以嵌入到晶元中，也可以使用各種型別的互連技術將其移出晶元。但是這個決定比它最初看起來要複雜得多。它取決於過程節點和電壓，nvm的型別以及其中儲存的內容...
everspin非易失性儲存器中MRAM的潛在用途
everspin非易失性儲存器中mram的潛在用途 與電子電荷儲存的資料可能會因使用情況，時間和溫度而洩漏和擊穿的相反，mram 磁性隨機訪問儲存器 使用1個電晶體 1個磁性隧道結 mtj 體系結構作為mtj的磁態作為資料儲存元素。由於mram將資料儲存為磁性狀態，因此與現有的非易失性儲存器相比，它...