由一塊p型半導體和一塊n型半導體合在一起的中間部位稱為pn結
在這個空間電荷區中，p區充滿不可移動的負離子，n區充滿不可移動的正離子，因此會產生乙個內電場，方向從n極指向p極。
pn結中，由於濃度差的存在，會產生多子的擴散運動，即p區的空穴會向n區擴散，n區的自由電子會向p區擴散。
結合一二兩點可知，內電場的存在會抑制擴散運動，即阻礙多子向對面移動；同時促進少子向對面移動，即產生漂移運動。最終擴散運動和漂移運動會達到乙個動態平衡。
半導體內電場的區域，既叫pn結，也叫耗盡層（1）pn結正偏：指外加電源後，p區的電位高於n區，此時也叫加正向電壓，即外電場由p區指向n區
（2）加入正向電壓後：外電場方向與內電場方向相反，因此內電場受到削弱，於是內電場對擴散運動的阻礙減弱，擴散電流增大；同時對漂移運動的促進也減弱，但是因為漂移電流一般極小，所以它的變化對總的電流幾乎無影響。
（3）此時總的電流是較大的，即：pn結加正向電壓時是呈現低阻性的。
（1）pn結反偏：指外加電源後，n區的電位高於p區，此時也叫加反向電壓，即外電場方向由n區指向p區。
（2）加入反向電壓後：外電場方向與內電場方向相同，內電場受到加強，於是內電場對擴散運動的阻礙加強，擴散電流大幅減小；同時對漂移運動的促進也加強，然而漂移電流相比於擴散電流太小，就算增加也無濟於事，所以總電流是很小的。
（3）此時，總電流很小，即：pn結加反向電壓時是呈現高阻性的。
結論：pn結具有單向導電性先確定乙個外加電壓的參考方向！結電流方程的工程近似：
下圖中的ubr是指反向擊穿電壓pn結偏置電壓的變化會導致pn結空間電荷區的電荷數量和兩側的載流子數量均發生變化，現象與電容相似。
按照產生機理得到不同，可分為勢壘電容和擴散電容：
半導體 pn 結的原理
請先看這個回答，理解一下什麼是能帶和載流子，半導體的導電性是怎麼來的。導帶 價帶 禁帶 允帶都是什麼邏輯關係？知乎 然後再解釋pn結。首先假設我們有一塊同一種單晶矽製成的p型半導體和n型半導體，他們的導帶和禁帶能級是一樣的，唯一的區別是摻雜能級的位置 由於摻雜能級的不同，p型半導體和n型半導體具有不...
第一章 1 1 2雜質半導體和PN結
向矽晶體內摻入 5的p，然後p與周圍的si原子形成共價鍵，多出了乙個電子。同時雜質原子在晶格上，它缺少乙個電子，變成了不能移動的正離子多出電子由於熱激發變為自由電子因c自由電子 c空穴，所以自由電子為多數載流子 多子 空穴為少數載流子 少子 n型半導體基本靠自由電子導電，摻入雜質越多，c多子 越高，...
PN結是什麼？PN結有什麼特徵？PN結的應用
pn結學習思維導圖 在看接下來的內容之前，我們先看看本文的思維導圖。首先對pn結的定義及原理進行分析。了解原理之後，來分析學習它的特徵，有了原理特徵當然是要應用了。是不是有點晦澀？學習就是要逐漸理解那些晦澀的定義，好了進入主題。我們首先拿出來一塊矽 鍺 片 本徵半導體 靈光一閃我們就在這個矽片上確定...