載流子是包括自由電子和空穴的。而空穴所謂的運動方向其實是對於自由電子來說的，與自由電子的方向相反。溫度的公升高會使載流子增加。
回答：為了能夠控制導電性。
當加入p後與其他的相比較會多出乙個電子，但這個電子很容易掙脫，形成自由電子所以n型半導體的多數載流子是自由電子少數載流子是空穴。
回答：少了，因為多數載流子的濃度很高，很容易與空穴復合，導致空穴的數目減少。
與上述的n型半導體相同，p型半導體的多數載流子是空穴，少數載流子是自由電子。
回答：載流子數目變化。少子與多子的變化數目相同。少子與多子的濃度變化不相同，因為少子與多子的基數不同，當溫度變化時，少子的濃度變化更加迅速，這也是為什麼通過少子的濃度來判斷溫度的變化
注意：p型半導體和n型半導體都是電中性的
擴散運動就是濃度高的像濃度低的地方移動。所以n區的自由電子像p區移動，p區的空穴像n區移動。這裡空穴的移動是相對的，p區的空穴被n區過來的電子結合，所以p區少了乙個空穴，而n區電子離開後會留下乙個空穴，這就好似空穴從p區擴散到了n區，實際上是相對而言。擴散之後出現了復合，即n區的電子與擴散過來的空穴（n區留下的空穴）結合，p區的空穴與擴散過來的電子結合這就導致n區雜質原子失去電子，留下了帶正電的雜質離子，p區失去空穴，即得到電子，留下帶負電的雜質離子也就是形成了空間電荷區，而在這個電荷區形成了內電場。內電場讓正離子流向p區，與之前的擴散運動相反。內電場的運動稱之為漂移運動。當達到動態平衡形成pn結。
pn結的正向電壓打破動態平衡，使得p和n的多數載流子濃度增加，擴散運動加強最終形成擴散電流使pn結導通。反向同理。
溫度公升高，p區和n區的少數載流子濃度增加等同於耗盡層增加，導電性變差。
因為pn結的電容效應，可以與電腦cpu想結合，因為cpu是半導體材料做的，必定存在電容效應，而電容在高頻時會導通，使得pn結短路。如下：
一旦短路那就差不多涼涼了。而確這個電容不是固定的，在不同溫度下多少頻率導通是不一樣的，所以當溫度高時，cpu很難超頻工作。
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