半導體受到外界光和熱激勵時,其導電能量將發生顯著變化。
在純淨的半導體中加入微量的雜誌,其導電能力也會顯著提高。
半導體的導電性與價電子有關。
內部結構
由於p的最外層電子缺少1個電子,即形成乙個空穴。鄰近原子的電子填補這個空穴,就會留下新的空穴
空穴為多子,自由電子為少子
注意:整個半導體還是呈電中性的。內部結構
自由電子為多子,空穴為少子。
半導體:效能處於導體和絕緣體之間。
當半導體收到外界光和熱的激勵時,導電能力將發生顯著變化。
在純淨的半導體中加入微量的雜誌,導電能量將顯著提高。空穴:電子掙脫共價鍵的舒服稱為自由電子後,共價鍵留下的乙個空位。
本徵半導體:既沒有多餘的空穴,也沒有多餘電子。
本徵激發:在一定的溫度下,被束縛的價電子獲得足夠的隨機熱振動能量而掙脫共價鍵的束縛,成為自由電子。
自由電子與空穴的復合:乙個自由電子和乙個空穴相遇,自由電子進入空穴中,兩者同時消失的現象。
雜質半導體:在本徵半導體中加入一定濃度的雜質原子。
p型半導體:在矽晶體中加入少量三件元素雜質。
n型半導體:在矽晶體中加入少量無價元素雜質。
受主雜質:在矽晶體中新增的最外層能接受電子的雜質。
施主雜質:在矽晶體中新增的最外層能提供電子的雜質。
多子:多數載流子。
少子:少數載流子。
飄移:由於電場作用而導致載流子運動。
擴散:載流子從高濃度區域向低濃度區域的擴散。
初識半導體
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半導體器件
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N型半導體和P型半導體
以下內容是清華大學mooc的學習筆記。適當新增了個人理解。詳情請看 載流子本身分為電子和空穴。多數載流子指的是 容易移動的載流子 在p型半導體中,電子不夠多,有空穴。實際是電子移動,但是看起來就像空穴 帶正電荷的載流子動了一樣 在n型半導體中,電子太多,電子可以自由移動。n和p有點難記憶。因為是反的...