①④本徵半導體的導電能力很低，因為他們只含有很少的熱運動產生的載流子
某種雜質的新增能極大的增加載流子的數目，所以摻雜質的半導體導電能力好。
例如：摻有磷的半導體就是一種摻雜半導體。
假設矽晶體中已摻入少量的磷。
磷原子進
入了原本該由矽原子占有的晶體結構中的位置。磷，作為第
組元素，由
個價電子。
磷原子共享了
個價電子給它周圍的
個矽原子。
對電子對給了磷原子個共
享的電子。加上還有
個未共享的電子，一共由
個價電子。由於原
子價層只能容
納個電子，再也放不下第
個電子。這個電子就被磷原子拋了
出來，自由地遊蕩
在晶體結構中。
每個新增進矽晶體結構中的磷原子能產生乙個
自由電子。故雜質能
增加載流子的數目，使其導電能力加強。
不摻雜的半導體為本徵半導體，導電依靠受熱激發的產生的激發電子和空穴。
而摻雜可以在很大程度上提高半導體的導電性。
摻雜可分為
n型摻雜和
p型摻雜。
n型摻雜會增加n電子
導電。p
型摻雜增加
空穴導電。
pn結就是半導體一部分
p型摻雜，一部分
n型摻雜形成的。
希望對你有所幫助。
無缺陷半導體的導電性很差，稱為本徵半導體。當摻入極微量的電活性雜質，其電導率
將會顯著增加，
例如，向矽中摻入億分之一的硼，
其電阻率就降為原來的千分之一。當矽中
摻雜以施主雜質
v族元素：磷、砷、銻等
為主時，以電子導電為主，成為
n型矽；當矽中
摻雜以受主雜質
川族元素：硼、鋁、鎵等
為主時，以空穴導電為主，成為
p型矽。矽中p型和
n型之間的介面形成
pn結，它是半導體器件的基本結構和工作基礎。
從能級的角度來看半導體的摻雜
第一次寫文章，寫一點我學習的心得。半導體一般由鍺和矽兩種材料構成，而由於我們生活的環境的溫度不是絕對零度，所有會有本徵激發 電子脫離質子的吸引力而轉變成為自由電子 如下圖 這就是溫度可以改變半導體的特性。那麼我就要引入能級了。本徵激發就是將電子從價帶激發到導帶去，而禁帶就是最外層軌道雜化使得本來處於...
半導體複習總結
討論半導體性質隨著外面因素變化而變化的規律 長程有序晶體 短程有序非晶體 化學鍵 組成晶體原子的原子 離子 之間的結合力 1 原子的負電性 衡量原子對核外電子 價電子 束縛能力的強弱的量 2 電離能 使得原子失去價電子所必須的能量 3 親和能 使乙個中性原子獲得乙個價電子而形成負離子所釋放的能量 4...
認識半導體
半導體受到外界光和熱激勵時，其導電能量將發生顯著變化。在純淨的半導體中加入微量的雜誌，其導電能力也會顯著提高。半導體的導電性與價電子有關。內部結構 由於p的最外層電子缺少1個電子，即形成乙個空穴。鄰近原子的電子填補這個空穴，就會留下新的空穴 空穴為多子，自由電子為少子 注意 整個半導體還是呈電中性的...