1、什麼叫半導體？
答：半導體顧名思義，就是指它的導電能力介於導體和絕緣體之間的物質 。常用的半導體材料有矽（si）和鍺（ge）等。
2、半導體主要有哪些特性？
答：半導體主要有三個特性：1）光敏特性；2）熱敏特性；3）摻雜特性。
所謂光敏特性是指某些半導體受到強烈光線照射時，其導電性能大大增強；光線移開後，其導電性能大大減弱。所謂熱敏特性是指外界環境溫度公升高時，半導體的導電性能也隨著溫度的公升高而增強。所謂摻雜特性是指在純淨的半導體中，如果摻入極微量的雜質可使其導電性能劇增。
3、什麼是p型半導體？
答：根據半導體的摻雜特性，在半導體中摻入微量的硼、鋁、銦、鎵等元素後，半導體中就會產生許多缺少電子的空穴，使半導體中的空穴濃度大大高於自由電子的濃度，這種靠空穴導電的半導體是p型半導體。
4、什麼是n型半導體？
答：在半導體中摻入微量磷、銻、砷等元素後，半導體中就會產生許多帶負電的電子 ，使半導體中自由電子的濃度大大高於空穴濃度。這種靠電子導電的半導體是n型半導體。
5、如何判別電路中電晶體的工作狀態？
答：判別電路中電晶體工作狀態，通常通過測量電晶體的極間電壓來判別。
當vbe<0.5v時，管子為截止狀態，為使截止可靠，常使vbe≤0，此時發射結和集電結均處於反向偏置狀態。當vce=vbe時，管子為飽和狀態。而當vcevb>ve時 ，發射結處於正向偏置，集電結處於反向偏置。此時管子工作在放大狀態。
6、如何判別電晶體是矽管還是鍺管？
答：可用萬用表r x 100或r x 1k檔測量管子pn結的正向電阻，對於npn型管子，負錶筆接基極，正錶筆任意一極。對於pnp型管子，測量方法與npn管相反。如果表針的位置在表盤中間，此管為矽管。如果表針位置在電阻零端時，該管為鍺管。
7、電晶體的發射極與集電極可否調換使用？
答：將電晶體的發射極與集電極調換使用是可以的 。稱這種方法為倒置使用。但倒置後降低了電晶體的放大倍數 ，因此很少在放大電路中採用這種方法 。若管子倒置使用要特別注意：管子的集-基極的反向電壓應小於允許的反向擊穿電壓，否則要引起電晶體的損壞。
8、場效電晶體有哪些種類？它們有哪些不同之處？
答：場效電晶體有兩大類 ，結型場效電晶體和絕緣柵型場效電晶體。每種型別的場效電晶體按導電溝道又可分為n型溝道和p型溝道，按工作方式又可以分為增強型和耗盡型。
絕緣柵型場效電晶體與結型場效電晶體的不同之處在於它們的導電機構不同 。絕緣柵型場效電晶體是利用感應電荷的多少來改變導電溝道的性質 ，而結型場院效應管則是利用導電溝道之間的耗盡區的大小來控制漏極電流的 。絕緣柵型場效電晶體可分為增強型場效電晶體和耗盡型場效電晶體，而結型場效電晶體均為耗盡型場效電晶體。
9、使用場效電晶體時應注意哪些事項？
答：場效電晶體在使用時除了注意不要使主要引數超過允許值外，對於絕緣柵型場效電晶體還應特別注意由於感應電壓過高而造成的擊穿問題。
一般在使用時應注意以下幾點：
（1）場效電晶體在使用時要注意不同型別的柵源漏各極電壓的極性。保證電壓和電流不超過最大允許值。
（2）為了防止柵極擊穿，要求一切測試儀器、電烙鐵都必須有外接地線。焊接時，用帶有接地線的小功率烙鐵焊接，或切斷電源後利用餘熱焊接。焊接時還應當先焊源極後焊柵極。
（3）絕緣柵場效電晶體由於輸入電阻極高，故不能在開路狀態下儲存。即無論管子使用與否，都應將三個電極短路或用鋁（錫）箔包好，不要用手指觸控以防止感應電勢將柵極擊穿 。結型場效電晶體可以在開路狀態下儲存。
（4）場效電晶體（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常製成對稱的，漏極和源極可以互換使用。但是有的絕緣柵場效電晶體在製造產品時已把源極和襯底連線在一起了，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出乙個管腳，形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位，n襯底接高電位。另外，由於陶瓷封裝的芝麻型管有光敏特性，使用時應注意避光。
10、如何識別場效應電晶體的管腳？
答：測量場效應電晶體的管腳可以用萬用表r x 1k電阻擋位進行測試。試探結型場效電晶體的哪個管腳為柵極的方法是：將萬用表中的紅錶筆接乙個管腳，黑錶筆分別去接另外兩個管腳。如果兩次測出的結果相同，所測的阻值都很大或所測的阻值都很小，則可判斷出紅錶筆所測的管腳為柵極。
半導體基礎知識
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認識半導體
半導體受到外界光和熱激勵時，其導電能量將發生顯著變化。在純淨的半導體中加入微量的雜誌，其導電能力也會顯著提高。半導體的導電性與價電子有關。內部結構 由於p的最外層電子缺少1個電子，即形成乙個空穴。鄰近原子的電子填補這個空穴，就會留下新的空穴 空穴為多子，自由電子為少子 注意 整個半導體還是呈電中性的...