第一章 1 1 2雜質半導體和PN結

向矽晶體內摻入+5的p，然後p與周圍的si原子形成共價鍵，多出了乙個電子。

同時雜質原子在晶格上，它缺少乙個電子，變成了不能移動的正離子多出電子由於熱激發變為自由電子因c自由電子 > c空穴，所以自由電子為多數載流子(多子)，空穴為少數載流子(少子)。

n型半導體基本靠自由電子導電，摻入雜質越多，c多子越高，導電能力越強。

向矽晶體摻入+3的b，b與周圍si原子形成共價鍵，偷拿了乙個電子(周圍矽原子要去給它電子)，共價鍵中會產生乙個空穴。

同時雜質原子在晶格上變成了了不能移動的負離子空穴為多子，自由電子為少子，主要就靠空穴導電，摻入雜質越多，導電能力越

強

1. p型半導體和n型半導體交介面，兩種載流子的濃度差賊大，p區空穴向n區擴散， n區自由電子向p區靠近

**************************************** pn結的形成** ********************************************

2.擴散到p區的自由電子與空穴復合擴散到n區的空穴與自由電子復合，交界處的多子濃度下降，如上圖，p區出現負離子區，n區出現正離子區，這裡會形成電場，稱作空間電荷區也叫耗盡層。 3. 隨著擴散的進行，空間電荷區不斷加寬，內電場越來越強，電場方向，從n區指向p區，正好阻止擴散運動的進行

1. pn結外加正向電壓

正向偏置將擴散運動加劇，漂移運動減弱，耗盡層變窄。由於電源作用，擴散運動不斷進行，形成正向電流，pn結導通

防止pn結燒毀，在其迴路一般要加乙個限流電阻。

*2.pn結外加反向電壓

反向偏置，使耗盡層變寬，阻止擴散運動進行，加劇漂移運動，進而形成反向電流（漂移電流）。應漂移電流非常小，一般都將他忽略了。所以反偏時處於截止。