在國際固態電路會議isscc 2009上，intel拿出了32nm westmere處理器，sandisk也同樣帶來了32nm工藝，只不過會用在nand快閃儲存器上。
sandisk宣布與東芝合作研發32nm mlc nand快閃儲存器儲存技術，生產32gb 3bit/cell(x3)快閃儲存器晶元，可廣泛用於高速儲存卡和固態硬碟等產品。
sandisk的第一代x3技術是在一年半前的56nm工藝上實現的，現在43nm工藝上的是第二代，即將配合32nm的則是第三代技術。
sandisk稱，規劃中的32nm 32gb x3晶元將是最小尺寸的nand快閃儲存器核心，面積僅僅113平方公釐，同時儲存密度也是最高的，能在相似的核心面積上提供兩倍於43nm microsd晶元的容量，另外借助sandisk的專利技術all-bit-line，能有效確保足夠的寫入效能。
sandisk預計將在今年下半年開始投產這種32nm 32gb x3快閃儲存器。
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