半導體儲存器的分類
從製造工藝的角度可把半導體儲存器分為雙極型、cmos型、hmos型等；從應用角度上可將其分為兩大類： 隨機讀寫儲存器（ram），又稱隨機訪問儲存器；唯讀儲存器（rom）。
1、唯讀儲存器（rom）
唯讀儲存器在使用過程中，只能讀出儲存的資訊而不能用通常的方法將資訊寫入的儲存器，其中又可以分為以下幾種。
（1）掩膜rom，利用掩膜工藝製造，一旦做好，不能更改，因此只適合於儲存成熟的固定程式和資料。工廠大量生產時，成本很低。
（2）可程式設計rom，簡稱prom，由廠商生產出的空白儲存器，根據使用者需要，利用特殊方法寫入程式和資料，但是只能寫一次，寫入後資訊固定的，不能更改。
（3）光擦除prom， 簡稱eprom，這種儲存器編寫後，如果需要擦出可用紫外線燈製造的擦除器照射20分鐘左右，使儲存器復原使用者可再程式設計。
（4） 電擦除prom， 簡稱eeprom， 顧名思義可以通過電來進行擦除，這種儲存器的特點是能以位元組為單位擦除和改寫，而且不需要把晶元拔下插入程式設計器程式設計，在使用者系統即可進行。
（5）flash memory， 簡稱快閃儲存器。它是非易失性儲存器，在電源關閉後仍能保持片內資訊，與eeprom相比，快閃儲存器儲存器具有成本低密度大的優點。
2、隨機讀寫儲存器（ram）
分為兩類： 雙極型和mos型兩種。
（1）雙極型 ram，其特點是訪問速度快，採用電晶體觸發器作為基本儲存電路，管子較多，功耗大，成本高，主要用於快取記憶體儲存器（cache）.
(2) mos ram, 其特點是功耗低，密度大，故大多採用這種儲存器，它又分為兩種：
靜態ram（sram），動態ram（dram）
sram : 儲存原理是用雙穩態觸發器來做儲存電路，狀態穩定，只要不掉電，資訊就不會丟失，優點是不用重新整理，缺點是整合度低。
dram : 儲存原理是用電容器來做儲存電路，優點是電路簡單，整合度高，缺點是由於電容會漏電需要不停的重新整理。
半導體儲存器
半導體儲存器按存 取功能可分為唯讀儲存器 read only memory,rom 和隨機儲存器 random access memory,ram rom的優點是電路結構簡單，而且在斷電後資料不會丟失 缺點是只適用於儲存那些固定資料的場合。rom又包含掩模rom 可程式設計rom prom 和可擦除...
半導體儲存器
半導體儲存器由許多儲存單元組成，每個儲存單元都以其唯一的位址 加以區分，能儲存一位二進位制資訊。順序儲存器 sequential access memory,sam 讀寫操作為 先進先出 或 先進後出 按順序進行，侷限性大。隨機訪問儲存器 radom access memory,ram 在正常工作狀...
儲存系統 半導體儲存器
半導體儲存器分為隨機儲存器ram random access memory 和唯讀儲存器rom read only memory 隨機儲存器特點就是斷電資訊丟失，具有易失性 唯讀儲存器特點就是永久儲存，斷電續存。隨著需求發展，如今的唯讀儲存器也具有了可寫特性。按照rom原始定義，固態硬碟屬於rom。...