主存是半導體儲存器，根據資訊儲存的機理不同
sram：靜態讀寫儲存器（訪問速度快）
dram：動態讀寫儲存器（儲存容量大）
sram的儲存元
如何儲存：
注：圖有誤，64應修改為64
行線所選中的所有儲存元構成乙個記憶體單元。此圖按4位編址 兩根豎線：讀寫控制線。
儲存容量=64×
\times
× 4b
64個儲存單元，每個單元4位。位址碼多長？ 64=2
62^6
26，位址碼6位長。位址線6根，資料4位長，4根資料線
儲存器的讀寫週期
電容中電荷的有無表示0，1資訊。由於電容存在漏電現象，需要重新整理，
讀出為破壞性讀出，需要重寫
ram採用電容上的電荷來儲存資訊，而電容上的電荷不可能不丟失，一般情況下，dram電容上的電荷只能維持1至2ms，過了這個時間，電荷就丟了，資訊也就沒了，所以我們要每隔一定時間對其進行重新整理，這個時間通常分為重新整理周期。
重新整理：重新整理周期：兩次重新整理之間的間隔時間
重新整理方法：各晶元同時，片內按行
重新整理三種方式：
假設2ms時間內必須完成對所有行的重新整理，否則資料會丟失
（1）集中重新整理
在乙個重新整理周期內，利用一段固定的時間，依次對儲存器的所有行逐一再生，在此期間停止對儲存器的讀寫操作，這段時間成為「死時間」，又叫訪存的「死區」。顯然這種方法可以讓讀寫操作不受重新整理工作的影響，但是在死區不能訪問儲存器，cpu只能幹等著。
前1ms讀寫操作，後1ms重新整理
好處；控制簡單，缺點：沒辦法讀寫
注：讀寫和重新整理所作的工作相同，花的時間一樣
（2）分散重新整理：把對每一行的重新整理分散到各個工作週期中去。比較生動地解釋就是，原來我的工作只有訪問，現在我的工作多了乙個，就是在訪問完之後順便再「打掃」一行。這樣，乙個儲存器的系統工作週期分為兩部分，前半部分有用正常讀、寫或保持，後半部分用於重新整理某一行。這種方法不存在死區，但是增加了系統的訪問週期，如果原來訪問週期只有0.5us，現在變成了1us，增加的0.5us要重新整理一行。
一次讀寫一次重新整理，導致訪問週期變長
（3）非同步重新整理：前兩種方法的結合，它可以縮短死時間，又充分利用最大重新整理間隔為2ms的特點。做法是將重新整理周期除以行數，得到每兩次重新整理之間的時間間隔t，邏輯電路每過t就產生一次重新整理請求。這樣就避免了使cpu等待過長時間，還減少了重新整理次數，提高了工作效率。
時間算出來的
多乙個環節：重新整理請求
參考文章：
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半導體儲存器
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