半導體儲存器按存、取功能可分為唯讀儲存器(read-only memory, rom)和隨機儲存器(random access memory, ram). rom的優點是電路結構簡單，而且在斷電後資料不會丟失；缺點是只適用於儲存那些固定資料的場合。
rom又包含掩模rom、可程式設計rom（prom）和可擦除的可程式設計rom(eprom).
ram和rom的最大不同在於正常工作狀態下就可以隨時快速地向儲存器裡寫入資料或讀資料。根據採用的儲存單元工作原理的不同，將隨機儲存器分為靜態儲存器(sram)和動態儲存器(dram).
sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。動態ram（dynamic ram/dram）保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。
ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在於它可以在乙個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了intel的另外一種記憶體標準－rambus dram。在很多高階的顯示卡上，也配備了高速ddr ram來提高頻寬，這可以大幅度提高3d加速卡的畫素渲染能力。
記憶體工作原理：記憶體是用來存放當前正在使用的（即執行中）的資料和程式，我們平常所提到的計算機的記憶體指的是動態記憶體（即dram），動態記憶體中所謂的"動態"，指的是當我們將資料寫入dram後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要乙個額外設電路進行記憶體重新整理操作。
具體的工作過程是這樣的：乙個dram的儲存單元儲存的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因；重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。
快快閃儲存器儲器(flash memory)結構簡單，程式設計可靠，具有可用隧道效應擦除的快捷特性，且整合度高。
目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在nor flash裡面的**，這樣可以減少sram的容量從而節約了成本。nand flash沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的flash比較廉價。使用者不能直接執行nand flash上的**，因此好多使用nand flash的開發板除了使用nand flah以外，還作上了一塊小的nor flash來執行啟動**。
半導體儲存器
半導體儲存器由許多儲存單元組成，每個儲存單元都以其唯一的位址 加以區分，能儲存一位二進位制資訊。順序儲存器 sequential access memory,sam 讀寫操作為 先進先出 或 先進後出 按順序進行，侷限性大。隨機訪問儲存器 radom access memory,ram 在正常工作狀...
儲存系統 半導體儲存器
半導體儲存器分為隨機儲存器ram random access memory 和唯讀儲存器rom read only memory 隨機儲存器特點就是斷電資訊丟失，具有易失性 唯讀儲存器特點就是永久儲存，斷電續存。隨著需求發展，如今的唯讀儲存器也具有了可寫特性。按照rom原始定義，固態硬碟屬於rom。...
半導體儲存器的分類
半導體儲存器的分類 從製造工藝的角度可把半導體儲存器分為雙極型 cmos型 hmos型等 從應用角度上可將其分為兩大類 隨機讀寫儲存器 ram 又稱隨機訪問儲存器 唯讀儲存器 rom 1 唯讀儲存器 rom 唯讀儲存器在使用過程中，只能讀出儲存的資訊而不能用通常的方法將資訊寫入的儲存器，其中又可以分...