半導體儲存器分為隨機儲存器ram(random access memory)和唯讀儲存器rom(read only memory)。隨機儲存器特點就是斷電資訊丟失，具有易失性；唯讀儲存器特點就是永久儲存，斷電續存。隨著需求發展，如今的唯讀儲存器也具有了可寫特性。按照rom原始定義，固態硬碟屬於rom。
隨機儲存器ram又可以分靜態ram(sram,static ram)和動態ram(dram,dynamic ram)。sram特點就是不斷電，資訊就會持續不變；dram特點就是即使不斷電，資訊也會衰減，需要動態進行資訊的重新整理。
sram一般使用雙穩態觸發器來記憶資訊，能保持原狀態相對穩定，只要不斷電，資訊不變；dram一般使用電容儲存電荷原理來記憶資訊，由於電容存在電荷洩露問題，即使不斷電，資訊也會慢慢衰減直到消失，所以需要給電容充電完成資料重新整理。
一般dram比sram慢，原因之一為dram進行資訊的重新整理需要時間，影響訪問速度。所以一般快取使用sram，記憶體使用dram，rom只用在外存。
儲存原理：dram依據電容儲存電荷原理儲存資訊；sram依據觸發器原理儲存資訊
半導體儲存器一般由多塊儲存晶元組成
一塊儲存器晶元構成：解碼驅動電路，儲存矩陣，讀寫控制電路
儲存矩陣由儲存單元呈二維排列組成，是儲存器的儲存體；解碼驅動電路主要是翻譯位址線，確定被選中的儲存單元；讀寫控制電路用來完成讀寫操作
位址線用來確定操作儲存單元的位址，片選線用來選擇被操作的儲存晶元，資料線用來傳輸資料，讀寫控制線用來確定讀或者寫操作
儲存容量計算：儲存晶元塊數*每塊儲存晶元容量
相對sram，dram需要動態進行資料重新整理，以維持資訊的狀態。通常，每隔一定時間必須進行一次重新整理，稱此時間為重新整理周期。
重新整理的方式有三種：集中重新整理，分散重新整理，非同步重新整理
集中重新整理：在乙個重新整理周期內，利用固定的時間段依次對所有行逐一重新整理，在這段時間內停止對儲存器的讀寫操作(死時間)。此方法重新整理頻率太高，大大降低了儲存效率。
分散重新整理：把每行的重新整理任務分散到各個工作週期中，每個工作週期完成兩部分工作，一部分進行讀寫操作，另一部分完成一行資料的重新整理。這種方式增加了系統工作週期，降低了整機速度(注：一般工作週期遠小於重新整理周期)。
非同步重新整理：將重新整理周期除以行數得時間t，每隔時間t重新整理一行。
半導體儲存器是未來儲存器發展的主流方向，具有巨大的潛力。目前來看，其速度仍然遠遠不及cpu，相對其他型別儲存器**又相對較貴，但其讀寫速度極快，是目前匹配高速系統較理想的儲存器。
半導體儲存器
半導體儲存器按存 取功能可分為唯讀儲存器 read only memory,rom 和隨機儲存器 random access memory,ram rom的優點是電路結構簡單，而且在斷電後資料不會丟失 缺點是只適用於儲存那些固定資料的場合。rom又包含掩模rom 可程式設計rom prom 和可擦除...
半導體儲存器
半導體儲存器由許多儲存單元組成，每個儲存單元都以其唯一的位址 加以區分，能儲存一位二進位制資訊。順序儲存器 sequential access memory,sam 讀寫操作為 先進先出 或 先進後出 按順序進行，侷限性大。隨機訪問儲存器 radom access memory,ram 在正常工作狀...
半導體儲存器的分類
半導體儲存器的分類 從製造工藝的角度可把半導體儲存器分為雙極型 cmos型 hmos型等 從應用角度上可將其分為兩大類 隨機讀寫儲存器 ram 又稱隨機訪問儲存器 唯讀儲存器 rom 1 唯讀儲存器 rom 唯讀儲存器在使用過程中，只能讀出儲存的資訊而不能用通常的方法將資訊寫入的儲存器，其中又可以分...