半導體器件分類
一、電子器件
1.雙極
pn結 ，正嚮導通，反向截止
雙極型電晶體（bjt，bipolar junction transistor） npn型，pnp型
bjt 基本功能：電流放大、流控開關
工作：發射結正偏，集電結反偏。發射區中的多子注入基區，在那裡他們變為少子。少子擴散過基區進入集電結空間電荷去，在那裡，它們被掃入極電區。
hbt: 在bjt的基礎上，將發射區改用寬頻隙材料。
特點：1、基區可以搞摻雜，則基區不易穿通，從而基區厚度可以很小
2、因為基區高摻雜，則基區電阻很小，最高振盪頻率fmax得以提高
3、基區電導調製不明顯，則大電流密度時的增益下降不大
4、基區電荷對集電結電壓不敏感，則early電壓得以提高
5、發射區可以低摻雜，則發射結勢壘電容降低，電晶體的特徵頻率ft提高
6、可以做成基區組分緩變的器件，則基區中有內建電場，從而載流子杜越基區的時間tb得以減短。
2.肖特基二極體： 肖特基二極體是***（金、銀、鋁、鉑等）a為正極，以n型半導體b為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體器件
3. 場效電晶體（field effect transistor）
mosfet
mesfet
半導體器件
肖特基勢壘 當兩種材料接觸時，由於兩種材料的費公尺能級位置不同，接觸後必須兩側的費公尺能級一致，接觸面的真空能級相同。載流子擴散流動必須使接觸面兩側的費公尺能級相等才能達到平衡狀態。所以接觸後半導體的能帶因內建電場而彎曲，這樣接觸面形成了電子的勢壘，稱為肖特基勢壘，形成整流節。肖特基二極體 整流接觸...
半導體分立器件廠商
半導體分立器件廠商 目前，全球半導體分立器件主要歐美日歐等國家地區壟斷，尤其在高階市場擁有絕對的話語權。由於國內廠商尚未形成規模效應與集群效應，所以其生產仍以 代工 模式為主。美國 美國半導體分立器件目前居於全球領先地位，擁有一大批如ti ir 國際整流器 diodes fairchild 被on收...
模擬電路 半導體器件
目前常用的半導體器件分為mos器件和bipolar器件，bipolar器件一般用於功率稍大的電路中，具有體積大 功耗大，能控制的電流大等特點，一般而言，目前的主流電路元器件均採用mos器件。世界上的物質按照導電性和物體內部可自由移動的電子數量可以分為導體 半導體和絕緣體，物質的導電性能決定於原子結構...