一：場效電晶體是利用迴路的電場效應來控制輸出迴路的一種半導體器件
由於它僅靠半導體的多數載流子導電，又稱單極性電晶體，效應管分為n溝道型和p溝道型
d：漏極
s：源極
g：柵極
結形場效電晶體工作原理：為使n溝道型場效電晶體正常工作：應在柵源之間加負向電壓；以保證耗盡層承受反向電壓；在婁源之間加正向電壓，已實現漏極電流，既保證了柵源之間內阻很高，又實現了ugs對溝道電流的控制。p33
二、場效電晶體的工作原理- -結構
所有的fet都有柵極g(gate)、漏極d(drain)、源極s(source)三個極，分別對應雙極性電晶體的基極b(base)、集電極c(collector)和發射極e(emitter)。除了結型場效電晶體外，所有的fet也有第四端，被稱為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。p區與n區交介面形成耗盡層，而漏極d與源極s間的非耗盡層區域稱為導電溝道。
四、場效電晶體工作原理- - 結型
結型場效電晶體可分為n溝道結型場效電晶體和p溝道結型場效電晶體，下面我們就以n溝道為例對結型場效電晶體工作原理進行說明。
為保證n溝道結型場效電晶體能正常工作，應在其柵-源之間加負向電壓(即ugs<0)，以保證耗盡層承受反向電壓;在漏-源之間加正向電壓uds，以形成漏極電流。柵-源之間負向電壓越大，pn結交介面所形成的耗盡區就越厚，導電溝道越窄，溝道電阻變大，漏極電流id越小;相反，若柵-源之間負向電壓越小，則耗盡區就越薄，導電溝道越寬，溝道電阻變小，漏極電流id越大。因此實現了場效電晶體的柵-源間負向電壓對溝道電流的控制。
而對於p溝道結型場效電晶體，與n溝道原理類似，但要在其柵-源之間加正向電壓(即ugs>0)才能保證其能能正常工作。
五、場效電晶體工作原理- - 絕緣柵型
以n溝道耗盡型mos管為例，如果在製造mos管時，在sio2絕緣層中摻入大量正離子，那麼即使ugs=0，在正離子作用下p型襯底表層也存在反型層，即漏-源之間存在導電溝道。只要在漏-源間加正向電壓，就會產生漏極電流，並且，ugs為正時，反型層變寬，溝道電阻變小，溝道電流id增大;反之，ugs為負時，反型層變窄，溝道電阻變大，id減小。而當ugs從零減小到一定值時，反型層消失，漏-源之間導電溝道消失，id=0。實現了柵源電壓對漏極電流的控制。
六、場效電晶體工作原理- - 增強型
以n溝道為例，在乙個n溝道增強模式器件中，應在柵源間加正向電壓。正電壓吸引了體中的自由移動的電子向柵極運動，形成了導電溝道。但是首先，充足的電子需要被吸引到柵極的附近區域去對抗加在fet中的摻雜離子;這形成了乙個沒有運動載流子的被稱為耗盡區的區域，這種現象被稱為fet的閾值電壓。更高的柵源電壓將會吸引更多的電子通過柵極，則會製造乙個從源極到漏極的導電溝道;這個過程叫做」反型」。
七、場效電晶體工作原理- - 耗盡型
在乙個n溝道耗盡模式器件中，在柵源之間加負向電壓將會造成乙個耗盡區去拓展寬度，從邊界侵入溝道，從而使溝道變窄。若耗盡區擴充套件至完全關閉溝道，則漏源間溝道電阻會變得很大，fet就會像開關一樣有效的關閉。類似的，在乙個p溝道耗盡模式期器件中，在柵源之間加正向電壓將使溝道變寬，溝道電阻變小，使電流更易通過。
場效電晶體分類
場效電晶體 fet 是一種電壓控制電流器件。其特點是輸入電阻高，雜訊係數低，受溫度和輻射影響小。因而特別使用於高靈敏度 低雜訊電路中 場效電晶體的種類很多，按結構可分為兩大類 結型場效電晶體 jfet 和絕緣柵型場效電晶體 igfet 結型場效電晶體又分為n溝道和p溝道兩種。絕緣柵場效電晶體主要指金...
場效電晶體P MOS N MOS
nmos是柵極高電平 vgs vt 導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。pmos是柵極低電平 vgs vt 導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。g 柵極，s源極，d漏極 模擬 三極體 b基極，e發射極，c集電極 pmos的特性是當 vgs的值小於一定的值時管子就會導通，適合源極接 ...
鏈結式場效電晶體
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