意法半導體的st公司推出stw20nm60系列鏈結式場效電晶體(jfet)，對於高頻、低頻訊號都具有低雜訊特性，idss小，電容效應低。
stw20nm60適用於低雜訊、低電壓應用，在1khz下電壓雜訊為1nv/hz，10hz下典型值為2nv/hz，且高增益下僅呈現22pf的電容。該產品idss提供三個等級：2.6-6ma、6.0-12ma和10-20ma。
stw20nm60適用於可攜式電池供電裝置應用，具有很高的bvdss，對於瞬態放大器應用具有較高的線性空間，以及獨特的vgs線性傳送功能，可用於設計音訊前端前置放大器。
stw20nm60提供sot-23表面貼裝和過孔to-92封裝形式，表面貼裝型適用於小型嵌入式電路應用。另外，stw20nm60系列產品與東芝2sk170引腳相容，可替代interfet的if1320、if1330、if1331和if4500，而且效能也有所增強。
該系列產品適用於音訊、儀器、醫療及感測器市場中低雜訊、高輸入阻抗應用。(僅供參考)。
場效電晶體分類
場效電晶體 fet 是一種電壓控制電流器件。其特點是輸入電阻高，雜訊係數低，受溫度和輻射影響小。因而特別使用於高靈敏度 低雜訊電路中 場效電晶體的種類很多，按結構可分為兩大類 結型場效電晶體 jfet 和絕緣柵型場效電晶體 igfet 結型場效電晶體又分為n溝道和p溝道兩種。絕緣柵場效電晶體主要指金...
場效電晶體P MOS N MOS
nmos是柵極高電平 vgs vt 導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。pmos是柵極低電平 vgs vt 導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。g 柵極，s源極，d漏極 模擬 三極體 b基極，e發射極，c集電極 pmos的特性是當 vgs的值小於一定的值時管子就會導通，適合源極接 ...
場效電晶體與電晶體
場效電晶體與電晶體的比較 1 場效電晶體是電壓控制項，而電晶體是電流控制項。在只允許從訊號源取較少電流的情況下，應選用場效電晶體 而在訊號電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應選用電晶體。2 場效電晶體是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是即有多數載流子，也利用少數載流子導電...