mos場效電晶體-irf640ns即金屬-氧化物-半導體型場效電晶體，英文縮寫為mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），屬於絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015ω）。它也分n溝道管和p溝道管，符號如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源極s接在一起。根據導電方式的不同，mosfet又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當vgs=0時管子是呈截止狀態，加上正確的vgs後，多數載流子被吸引到柵極，從而「增強」了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當vgs=0時即形成溝道，加上正確的vgs時，能使多數載流子流出溝道，因而「耗盡」了載流子，使管子轉向截止。
mos場效電晶體電路圖
以n溝道為例，它是在p型矽襯底上製成兩個高摻雜濃度的源擴散區n+和漏擴散區n+，再分別引出源極s和漏極d。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向電，表示從p型材料（襯底）指身n型溝道。當漏接電源正極，源極接電源負極並使vgs=0時，溝道電流（即漏極電流）id=0。隨著vgs逐漸公升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的n型溝道，當vgs大於管子的開啟電壓vtn（一般約為+2v）時，n溝道管開始導通，形成漏極電流id。
國產n溝道mosfet的典型產品有3do1、3do2、3do4（以上均為單柵管），4do1（雙柵管）。它們的管腳排列（底檢視）見圖2。
mos場效電晶體比較「嬌氣」。這是由於它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（u=q/c），將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使g極與s極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，並採取相應的防靜電感措施。下面介紹檢測方法。
1．準備工作
測量之前，先把人體對地短路後，才能摸觸mosfet的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然後拆掉導線。
2．判定電極
將萬用表撥於r×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極g。交換錶筆重測量，s-d之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑錶筆接的為d極，紅錶筆接的是s極。日本生產的3sk系列產品，s極與管殼接通，據此很容易確定s極。
3．檢查放大能力（跨導）
將g極懸空，黑錶筆接d極，紅錶筆接s極，然後用手指觸控g極，表針應有較大的偏轉。雙柵mos場效電晶體有兩個柵極g1、g2。為區分之，可用手分別觸控g1、g2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為g2極。
場效電晶體分類
場效電晶體 fet 是一種電壓控制電流器件。其特點是輸入電阻高，雜訊係數低，受溫度和輻射影響小。因而特別使用於高靈敏度 低雜訊電路中 場效電晶體的種類很多，按結構可分為兩大類 結型場效電晶體 jfet 和絕緣柵型場效電晶體 igfet 結型場效電晶體又分為n溝道和p溝道兩種。絕緣柵場效電晶體主要指金...
場效電晶體P MOS N MOS
nmos是柵極高電平 vgs vt 導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。pmos是柵極低電平 vgs vt 導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。g 柵極，s源極，d漏極 模擬 三極體 b基極，e發射極，c集電極 pmos的特性是當 vgs的值小於一定的值時管子就會導通，適合源極接 ...
場效電晶體電機驅動 MOS管H橋原理
所謂的h 橋電路就是控制電機正反轉的。下圖就是一種簡單的h 橋電路，它由2 個p型場效電晶體q1 q2 與2 個n 型場效電晶體q3 q3 組成，所以它叫p nmos 管h 橋。橋臂上的4 個場效電晶體相當於四個開關，p 型管在柵極為低電平時導通，高電平時關閉 n 型管在柵極為高電平時導通，低電平時...