nmos是柵極高電平（vgs > vt）導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。
pmos是柵極低電平（vgs < vt）導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。
g:柵極，s源極，d漏極（模擬：三極體：b基極，e發射極，c集電極）
pmos的特性是當
vgs的值小於一定的值時管子就會導通，適合源極接
vcc的情況。下面是增強型
pmos
工作特性曲線：
由圖可知，vgs
越大，允許的漏極電流越大。管子工作包含四個區：可變電阻區，恆流區，擊穿區，截止區，如下圖所示：
其中恆流區又叫做飽和區，管子正常工作就在這個區。有兩個圖可知，當vgs
的絕對值高於
4v時管子截止，低於這個值時管子導通。
irf9540n
的這個門限值導通值在
-2~-4
之間，vgs
只有高於
4v管子才能截止。但是我做的系統中電源電壓在
4v以下，所以這個管子其實是不能用的。
kui 20170520
場效電晶體分類
場效電晶體 fet 是一種電壓控制電流器件。其特點是輸入電阻高，雜訊係數低，受溫度和輻射影響小。因而特別使用於高靈敏度 低雜訊電路中 場效電晶體的種類很多，按結構可分為兩大類 結型場效電晶體 jfet 和絕緣柵型場效電晶體 igfet 結型場效電晶體又分為n溝道和p溝道兩種。絕緣柵場效電晶體主要指金...
鏈結式場效電晶體
意法半導體的st公司推出stw20nm60系列鏈結式場效電晶體 jfet 對於高頻 低頻訊號都具有低雜訊特性，idss小，電容效應低。stw20nm60適用於低雜訊 低電壓應用，在1khz下電壓雜訊為1nv hz，10hz下典型值為2nv hz，且高增益下僅呈現22pf的電容。該產品idss提供三個...
場效電晶體與電晶體
場效電晶體與電晶體的比較 1 場效電晶體是電壓控制項，而電晶體是電流控制項。在只允許從訊號源取較少電流的情況下，應選用場效電晶體 而在訊號電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應選用電晶體。2 場效電晶體是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是即有多數載流子，也利用少數載流子導電...