電晶體與場效電晶體的區別

這是一點點個人讀書時候摘抄的筆記，只希望能夠幫到你。**——《模擬電子技術基礎》（第五版，董詩白，高等教育出版社）侵刪。

場效應電晶體的柵極g、源極s、漏極d對應於電晶體的基極b、發射極e、集電極c，它們的作用相類似。

一、場效電晶體用柵-源電壓u-gs控制漏極電流i-d，柵極基本不取電流。而電晶體工作的時候基極總是要索取一定的電流。因此，要求輸入電阻高的電路應選用場效電晶體；而若訊號源可以提供一定的電流，則可選用電晶體。

二、場效電晶體只有多子參與導電。電晶體內既有多子又有少子參與導電，而少子數目受溫度、輻射等因素影響很大，因而場效應電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。所以在環境條件變化很大的情況下應選用場效應電晶體。

三、場效應電晶體的雜訊係數很小，所以低雜訊放大器的輸入級要求訊雜比較高的電路應該選用場效應電晶體。當然也可以選用特製的低雜訊電晶體。

四、場效電晶體的漏極與源極可以互換使用，互換後特性變化不大。而電晶體的發射極與集電極互換後特性差異很大，因此只在特殊需要時才互換，成倒置狀態，如在整合邏輯電路中。

五、場效應電晶體比電晶體的種類多，特別時耗盡型mos管，柵-源電壓u-gs可正、可負、可零，均能控制漏極電流。因而在組成電路時場效應電晶體比電晶體更加的靈活。

六、場效應電晶體和電晶體均可用於放大電路和開關電路，它們構成了品種繁多的積體電路。但由於場效應電晶體整合工藝更簡單，且具有耗電低、工作電源電壓範圍寬等優點，因此場效應電晶體被越來越多的用於大規模和超大規模積體電路之中。