場效電晶體開關狀態工作情況表
（注：假設其他工作條件已符合）
fet型別 符號
工作條件
開關狀態
備註n溝道結型
導通 ugsd、s斷開
p溝道結型
導通 ugs>ugs(off)>0d、s
斷開 nmos耗盡型
ugs=0d、s
導通 襯底與源極s相連
ugs>ugs(off)>0d、s
斷開 pmos耗盡型
導通 ugsd、s斷開
nmos增強型
斷開 ugs> 0d、s
導通 pmos增強型
斷開 ugs
導通 小結：
1、 箭頭方向為pn
結正向偏置方向。
2、 箭頭朝里，為n
溝道，朝外這
p溝道。
3、 mos管圖形d、
s相連為耗盡型，斷開為增強型。
4、 fet輸入電阻大，
g極無電流，加電時應使其為零偏為反偏。（正偏將燒毀）
場效電晶體分類
場效電晶體 fet 是一種電壓控制電流器件。其特點是輸入電阻高，雜訊係數低，受溫度和輻射影響小。因而特別使用於高靈敏度 低雜訊電路中 場效電晶體的種類很多，按結構可分為兩大類 結型場效電晶體 jfet 和絕緣柵型場效電晶體 igfet 結型場效電晶體又分為n溝道和p溝道兩種。絕緣柵場效電晶體主要指金...
場效電晶體P MOS N MOS
nmos是柵極高電平 vgs vt 導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。pmos是柵極低電平 vgs vt 導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。g 柵極，s源極，d漏極 模擬 三極體 b基極，e發射極，c集電極 pmos的特性是當 vgs的值小於一定的值時管子就會導通，適合源極接 ...
鏈結式場效電晶體
意法半導體的st公司推出stw20nm60系列鏈結式場效電晶體 jfet 對於高頻 低頻訊號都具有低雜訊特性，idss小，電容效應低。stw20nm60適用於低雜訊 低電壓應用，在1khz下電壓雜訊為1nv hz，10hz下典型值為2nv hz，且高增益下僅呈現22pf的電容。該產品idss提供三個...