vmos場效電晶體既有
電子管的優點又有電晶體的優點，用它
製作的功率放大器聲音醇厚、甜美，動態範圍大、頻率響應好，因此近年來在
音響裝置中得到了廣泛應用。
大功率的場效電晶體功率放大器，電．路比較複雜，製作和除錯難度也較大，並且．成本也很高，所以不太適合初學者製作。下面介紹的這款vmos場效電晶體小
功放，電路非常簡單，製作除錯也很容易，十分適合初學的愛好者。只要所用元器件良好，電路·焊接正確，就可一舉成功，並且音質也相當不錯。本機的缺點是輸出功率略顯小了一點（約3w~4w），但用作
mp4/ target=_blank class=infotextkey>***、
手機等一．電路簡介
電路見附圖，輸出級採用典型的單端甲類放大電路，由於在輸人訊號的全部範圍內，甲類放大器都處於線性區，同時單端放大器不存在對稱問題，所以非線性失真極小。因為場效電晶體是電壓
控制器件，輸出級所需要的推動功率較小，所以推動級也很簡單，由乙隻結型場效電晶體擔任。
功率輸出端通過輸出變壓器耦臺輸出，**韻味和電子管功放相似。
二、場效電晶體的檢測
在業餘條件下，愛好者可以用指標式萬能表的電阻擋對管子作簡單的測試，粗略判斷管子的好壞。
bg1結型場效電晶體採用3dj6、3dj7等，測試時用rxlk或r×100ω擋測量柵極與源極、柵極與漏極的正反向電阻，正向阻值都應在skω—lokω左右，反向阻值應無窮大。測量源極與漏極電阻，正反向阻值應對稱，當人手靠近柵極時，有感應現象，表針擺動；感應越大，說明跨導越大。源極和漏極可以互換使用。
bg2vmos場效電晶體採用v40at、vn66af、irf132、2sk134等，當測量柵極與源極或者柵極與漏極之間的正反向電阻時，阻值均應無窮大，依此可先找到柵極。
源極和漏極相當於乙個pn結；對於n溝道增強型管子，如果用黑錶筆接漏極紅錶筆接源極，柵極開路，管子的電阻值很不穩定。當用手接觸柵極時，阻值有明顯變化，變化越大，說明管子的跨導值越高（此時應用rxlok擋，表內電壓較高，測試時變化明顯）。
三．輸出變壓器的繞制
由於場效電晶體的輸出阻抗比電子管低，所以輸出變壓器變比較小，初級阻抗也較低，不需要很大的電感量就可以得到很好的頻響，採用簡單的繞制方法即可滿足要求。鐵心面積s=20mmx20mm．初級線圈用φ0.5mm漆包線繞220圈，次級用φ0.8mm漆包線繞110圈接80喇叭，繞78圈接4ω喇叭，先繞次級後繞初級。鐵心和漆包線的規格可以靈活選擇，只要鐵心視窗繞得下，相差不多都可以代用。
四、電源變壓器的選用
採用收錄機、黑白電視機等拆機變壓器改制，次級電壓18v~22v左右都可以採用。電壓若不合適，可以通過多餘繞組串聯或穿線加繞等辦法解決，使整流後得到24v—30v左右的直流電壓。輸出功率會因電源電壓不同而不同。若次級電壓過低，如10v左右，也可以採用倍壓整流方式取得要求的直流電壓，但濾波電容相應加大。因為是甲類放大狀態，電流相對恆定，所以不必採用穩壓電源。濾波電感l可用日光燈鎮流器代替。
五、裝配與焊接
vmos場效電晶體輸八阻抗很高，為防止意外損壞，應在裝配的最後再焊接vmos管，並且在焊接時將gs兩極(或三個極)暫時短路。電烙鐵應將外殼可靠接地，或焊接時拔掉電源線用餘熱焊接。
因為電路簡單，印刷電路板可以用刀刻法自製，即便是採用搭棚焊接，也能獲得成功。調整電阻r3使bg1的d、s極電壓和電阻r2兩端電壓基本相等，調整電阻r6改變功放級的靜態電流。電阻r4是負反饋電阻。10v穩壓管是vmos管的外接保護二極體。由於甲類放大器發熱量較大，vmos管的散熱器要足夠大，以確保工作時溫公升不過高。
來自山陽電器維修
場效電晶體分類
場效電晶體 fet 是一種電壓控制電流器件。其特點是輸入電阻高，雜訊係數低，受溫度和輻射影響小。因而特別使用於高靈敏度 低雜訊電路中 場效電晶體的種類很多，按結構可分為兩大類 結型場效電晶體 jfet 和絕緣柵型場效電晶體 igfet 結型場效電晶體又分為n溝道和p溝道兩種。絕緣柵場效電晶體主要指金...
場效電晶體P MOS N MOS
nmos是柵極高電平 vgs vt 導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。pmos是柵極低電平 vgs vt 導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。g 柵極，s源極，d漏極 模擬 三極體 b基極，e發射極，c集電極 pmos的特性是當 vgs的值小於一定的值時管子就會導通，適合源極接 ...
鏈結式場效電晶體
意法半導體的st公司推出stw20nm60系列鏈結式場效電晶體 jfet 對於高頻 低頻訊號都具有低雜訊特性，idss小，電容效應低。stw20nm60適用於低雜訊 低電壓應用，在1khz下電壓雜訊為1nv hz，10hz下典型值為2nv hz，且高增益下僅呈現22pf的電容。該產品idss提供三個...