儲存器晶元**商宇芯電子本章節對賽普拉斯4mbit（256k x 16）nvsram 和 mram器件分別在 44 引腳 tsop-ii（薄小外型封裝-ii 型別）和48球型焊盤 fbga（小間距球柵陣列）封裝選擇中各自的引腳和封裝區別進行了詳細說明。
替換 44 tsop-ii 封裝選擇
圖1顯示的是使用 44 引腳 tsop-ii 封裝選擇時在相同的44 焊盤 pcb 封裝上將 4mbit（x16）mram 替換為 4mbit（x16）nvsram 的例子。mram 和 nvsram 器件的 44引腳的 tsop-ii 封裝尺寸是相同的，如表1所示。
44 引腳 tsop-ii 封裝比較
除引腳 28（在 nvsram 上是 vcap引腳，在 mram 上則被設計成 dc（請勿連線）引腳）外，nvsram 44 引腳tsop-ii 引腳的分布與 mram 44 引腳 tsop-ii 引腳的分布完全相同。通過建立用於將電容器連線到 nvsram vcap 的空間，可不調整電路板也能將 nv-sram 和 mram 互換。
替換 48 球型焊盤 fbga 封裝選擇
圖 2 顯示的是使用 48 球型焊盤 fbga 封裝選擇時在相同的48 焊盤 pcb 封裝上將 4mbit（x16）mram 替換為 4mbit（x16）nvsram 的例子。mram 和 nvsram 器件的 48球型焊盤 fbga 封裝的長度、寬度和高度均不一樣。然而，48 球型焊盤 fbga 封裝的間距保持一致，這樣可保證兩種封裝選擇的替換引腳是相容的。在這種情況下，應保留pcb 上的封裝防備區，以便保證能夠在不影響 pcb 上其他元件的前提下順利安裝 nvsram 或 mram 48 球型焊盤fbga 封裝。mram 和 nvsram 的 48 球型焊盤 fbga 封裝尺寸比較如 表 2 所示
除了 e3、g2 和 h6 等三腳（在 mram 中被設計成 dc（請勿連線）或 nc（無連線）引腳）外，nvsram 的引腳分布與 mram 完全相同。在 nvsram 中，e3、g2 和 h6 分別是vcap、hsb和nc引腳，通過建立用於將電容器連線到nvsram vcap的空間，可不調整電路板也能將 nvsram 和mram 互換。通過使用乙個微上拉電阻（~100 kω）可在nvsram hsb引腳調整位高水平，因此，，如果在設 計中不需要使用 nvsram hsb引腳的效能，hsb引腳將被保持為懸空（nc）狀態。nvsram nc 引腳的連線不受任何限制。nvsram nc 引腳在設計中可以處於任何邏輯電平（高或低電平），也可以處於懸空（nc）狀態。
mram 和 nvsram48 球型焊盤 fbga 封裝比較
注釋1:如果在設計中不需要使用nvsram hsb的效能，它被保持為懸空(或nc)狀態。在hsb引腳與-乙個控制器i/o相連時，建議在該引腳上連線-乙個4.7kq~10kq的外部上拉電阻。
除 nvsram 的 vcap引腳（相當於 mram 的無連線（nc）引腳）外，賽普拉斯 nvsram 的引腳分布與 mram 引腳分布完全相同。
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