我們常接觸到晶體**管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效電晶體就陌生一點，但是，由於場效電晶體有其獨特的優點，例輸入阻抗高，雜訊低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應電晶體的種類很多，根據結構不同分為結型場效電晶體和絕緣柵型場效電晶體；絕緣柵型場效電晶體又稱為金屬氧化物導體場效電晶體，或簡稱mos場效電晶體．
1、如何防止絕緣柵型場效電晶體擊穿
由於絕緣柵場效電晶體的輸入阻抗非常高，這本來是它的優點，但在使用上卻帶來新的問題．由於輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應出來的電荷就很難通過這個電阻洩放掉，電荷的累積造成了電壓的公升高，尤其是在極間電容比較小的情況本下，少量的電荷就會產生較高的電壓，以至管子還沒使用或者在焊接時就已經擊穿或者出現指標下降的現象，特別是mos管，其絕緣層很薄，更易擊穿損壞。為了避免出現這樣的事故，關鍵在於避免柵極懸空，也就是在柵源兩極之間必須保持直流通路。
通常是在柵源兩極之間接乙個電阻（100k以內），使累積電荷不致過多，或者接乙個穩壓管，使電壓不致超過某一數值。
在儲存時應使3個電極短路，並放在遮蔽的金屬盒內；把管子焊到電路上或取下來時，也應該先將各個電極短路；安裝測試時所用的烙鐵儀器等要有良好的接地，最好拔掉電烙鐵的電源再進行焊接。
2、怎樣判斷結型場效電晶體的電極
將萬用表置於rx1k擋，用黑錶筆接觸假定為的柵極g管腳，然後用紅錶筆分別接觸另外兩個管腳，若阻值均比較小（約5~
10歐)，再將紅黑錶筆交換測量一次，如阻值大（無窮），說明都是反向電阻（pn結反向），屬n溝道管，且黑錶筆接觸的管為柵極g，並說明原先假定是正確的。再次測量的阻值均很小，說明是正向電阻，屬於p溝道場效電晶體，黑錶筆所接觸的也是柵極g。若不出現上述情況，可以調換紅黑錶筆，按上述方法進測試，直至判斷柵極為止。一般結型效應管的源極與漏極在製造時是對稱的，所以，當柵極g確定以後，對於源極s漏極d不一定要判斷，因為這兩個極可以互換使用，因此沒有必要去判別．源極與漏極之間的電阻約為幾千歐．
3．場效電晶體放大能力的估測
用萬用表的rx100擋可以估算場效電晶體的放大能力．具體測試如下：紅錶筆接源極s，黑錶筆接漏極d，這樣相當於給場效電晶體加上1.5伏的電源電壓，這時表針指示出的是d-s極間的電阻值．然後用手指捏住柵極g，將人體的感應電壓作為輸入訊號加到柵極上．由於場效電晶體的放大作用，uds和id都將發生變化，也相當於d-s極間電阻發生變化，可以觀測到表針有較大幅度的擺動．如果手捏柵極表針擺動很小，說明場效電晶體的放大能力較弱，若表針不動，說明場效電晶體已損壞。
注意的是多數場效電晶體的rds增大，表針向左擺動，少數場效電晶體的rds減小，表針向右擺動．但無論表針擺動方向如何，只要能明顯地擺動，就說明管子具有放大能力。但由於mos管的輸入電阻更高，柵極允許的感應電壓不應過高，故不能直接用手去捏柵極，必須用手握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止感應電荷直接加到柵極上，引起mos管的柵極擊穿．
4、例項（總結模擬電路中mos柵極電阻作用）
1、是分壓作用
2、下拉電阻是盡快洩放柵極電荷將mos管盡快截止
3、防止柵極出現浪湧過壓（柵極上併聯的穩壓管也是防止過壓產生）
4、全橋柵極電阻也是同樣機理，盡快洩放柵極電荷，將mos管盡快截止。避免柵極懸空，懸空的柵極mos管將會導通，導致全橋短路
5、驅動管和柵極之間的電阻起到隔離、防止寄生振盪的作用
場效應電晶體
場效電晶體 field effect transistor簡稱fet 是利用電場效應來控制半導體中電流的一種半導體器件，故因此而得名。場效電晶體是一種電壓控制器件，只依靠一種載流子參與導電，故又稱為單極型電晶體。與雙極型晶體三極體相比，它具有輸入阻抗高 雜訊低 熱穩定性好 抗輻射能力強 功耗小 製造...
固態器件理論（7）結型場效應電晶體
交個朋友 參考資料 相關博文 部落格首頁 場效應電晶體由julius lilienfeld在1926年和1933年 1,900,018 的美國專利中提出。此外，肖克利 shottleley 布拉頓 brattain 和巴丁 barden 在1947年正在研究場效應電晶體。儘管如此，極端的困難使他們轉...
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