英特爾公司正在研發一種電晶體設計，這有助於英特爾的設計人員在處理器中整合更多的記憶體。
英特爾技術和製造集團負責零件研究的主管邁克表示，研究人員計畫在本週的「國際電子裝置會議」上宣讀一篇**，闡述在「浮體單元」電晶體方面的研究工作。他說，「浮體單元」電晶體可以使英特爾生產整合有更大容量快取的處理器，提高處理器的效能。
「浮體單元」技術旨在提高處理器上快取的密度。快取用於儲存處理器經常用到的資料和指令，能夠提高處理器的效能。但製造快取的sram單元的密度低於英特爾的期望值，乙個快取單元需要6個電晶體，但只能儲存1位資訊。英特爾希望將儲存1位資訊的電晶體數量減少到1個。
東芝和加州大學伯克利分校也在進行「浮體單元」電晶體的研究，但它們的技術有一定的限制。
儘管取得了進展，英特爾還有一些障礙需要克服。
場效電晶體與電晶體
場效電晶體與電晶體的比較 1 場效電晶體是電壓控制項，而電晶體是電流控制項。在只允許從訊號源取較少電流的情況下，應選用場效電晶體 而在訊號電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應選用電晶體。2 場效電晶體是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是即有多數載流子，也利用少數載流子導電...
場效應電晶體
場效電晶體 field effect transistor簡稱fet 是利用電場效應來控制半導體中電流的一種半導體器件，故因此而得名。場效電晶體是一種電壓控制器件，只依靠一種載流子參與導電，故又稱為單極型電晶體。與雙極型晶體三極體相比，它具有輸入阻抗高 雜訊低 熱穩定性好 抗輻射能力強 功耗小 製造...
場效電晶體與電晶體的區別
1 場效電晶體的源極s 柵極g 漏極d分別對應於三極體的發射極e 基極b 集電極c，它們的作用相似。2 場效電晶體是電壓控制電流器件，由vgs控制id，其放大係數gm一般較小，因此場效電晶體的放大能力較差 三極體是電流控制電流器件，由ib 或ie 控制ic。3 場效電晶體柵極幾乎不取電流 ig 0 ...