功函式：金屬的功函式石真空中靜止電子的能量和費公尺能級的差值。功函式的大小標誌著電子在金屬中束縛的強弱。
半導體的功函式：同金屬
但是半導體存在電子親和能。導帶底和真空能級的差值。
接觸電勢差：真空中的能級e0是相同的，費公尺能級是相同的，所以需要有能帶彎曲，功函式小的那個能帶向下彎曲，功函式大的能帶向上彎曲。
對於n型半導體而言，能將電子匯出的接觸是形成反阻擋層的，也就是說能帶要向下彎曲，否則形成阻擋層。
對於p型半導體而言，能將空穴匯出的接觸是反阻擋層，也就是能帶向上彎曲。
接觸電勢差： 說明白金屬一側的勢壘高度是wm-x
半導體一側的勢壘高度是wm-ws
按照劇本，勢壘高度應該和金屬功函式線性變化，事實並非如此，因為有表面態的影響。
表面態：表面晶格不完整而吸附外來原子或離子，他是局域在表面附近的新電子態。 表面態中效能級qfai0.
一般表面態在半導體表面禁帶中分布，表面處存在乙個距離價帶頂為qfai0的能級，電子正好填滿qfai0以下的所有表面態時候，表面呈電中性。qfai0以下的表面態空著的時候，表面帶正電，呈現施主型，qfai0以上的表面態填充時候，表面帶負電，呈現受主型。對於大多數半導體而言，qfai0約為禁帶寬度的1/3.
施主型表面態：qfai0在費公尺能級之上
受主型表面態：qfai0在費公尺能級之下
有高密度受主表面態（）10^17）的半導體與金屬接觸形成勢壘的時候，滿足金屬電荷+半導體電荷+表面態電荷=0，當金屬功函式大於半導體功函式的時候，電子從受主表面態流向金屬，半導體能帶彎曲不變。表面態遮蔽了金屬對半導體能帶彎曲的影響，勢壘高度和金屬功函式無關了，稱為表面態密度釘扎，稱為巴丁模型。
整流理論：
以金屬和n 型半導體接觸為例：
不加電壓的情況下，半導體一側勢壘高度為-qvs。當金屬上施加電壓v的時候，由於阻擋層是乙個高阻區域，因此電壓主要降低在阻擋層上，所以半導體內勢壘高度變成-q(vs+v)。當兩個電壓符號相同的時候，勢壘高度增大，否則減小。
表面勢vs=(ws-wm)/q。此時表面勢<0.
分析靜電流的時候是考慮金屬流向半導體中的電流不變，而半導體流向金屬的電流變化了，所以總電流變化了。
還可以考慮乙個問題是考慮場和內建電場的方向相同還是相反。
對於空穴而言，表面勢》0.
第一類：擴散理論，勢壘層很厚，電子會發生多次碰撞。
第二類：熱電子發射理論：能量足夠高的時候只要能夠越過勢壘，依賴於溫度，與外加電壓無關。反向飽和電流。適用於勢壘層薄，電子平均自由程遠大於勢壘層寬度。
考慮映象力： 沒有映象力的電勢能是從泊松方程接出來的。
映象力引起勢壘降低隨反向電壓增加而緩慢增加。反向電壓比較高的時候，映象力才比較明顯。
怎麼形成歐姆接觸：這個你已經會了 就是重摻雜造成隧穿。
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