金屬-氧化物半導體場效應電晶體，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數位電路的場效電晶體（field-effect transistor）。
mosfet依照其「通道」（工作載流子）的極性不同，可分為「n型」與「p型」 的兩種型別，通常又稱為nmosfet與pmosfet，其他簡稱上包括nmos、pmos等
n溝道mosfet可以理解為在p型基座上刨除兩個n型溝道，如下
源極與漏極的特性必須同為n型（即nmos）或是同為p型（即pmos）
基座連著柵極g,所以柵極是p, 漏極d（drain）和源極s是n極，下屬是n型mosfet物理符號：
積體電路晶元上的mosfet為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（bulk或是body）。
上圖能看出，柵極g不是p，n結，只是金屬極，noms基底是p型，通道d/s是n型。通過在柵極加正向（nmos，加正電壓到g極把電子吸引到g極是兩個n通道導通）或者負向電壓（pmos，基底是n型，通道d/s 是p型，加負電壓把電子推走，吸引空穴到表面形成通道）來使d極和s極導通。
通常把基極和源極接在一起，故分布式mosfet通常為三端元件。而在積體電路中的mosfet通常因為使用同乙個基極。
在源極與漏極之間被乙個極性相反的區域隔開，也就是所謂的基極（或稱基體）區域。如果是nmos，那麼其基體區的摻雜就是p型
對這個nmos而言，真正用來作為通道、讓載流子通過的只有mos電容正下方半導體的表面區域。當乙個正電壓施加在柵極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓n型半導體的多數載流子—電子可以從源極流向漏極。如果這個電壓被移除，或是放上乙個負電壓，那麼通道就無法形成，載流子也無法在源極與漏極之間流動。
假設操作的物件換成pmos，那麼源極與漏極為p型、基體則是n型。在pmos的柵極上施加負電壓，則半導體上的空穴會被吸引到表面形成通道，半導體的多數載流子—空穴則可以從源極流向漏極。假設這個負電壓被移除，或是加上正電壓，那麼通道無法形成，一樣無法讓載流子在源極和漏極間流動。
源極在mosfet裡的意思是「提供多數載流子的**」。對nmos而言，多數載流子是電子；對pmos而言，多數載流子是空穴。相對的，漏極就是接受多數載流子的端點。
乙個完整的mosfet結構需要乙個提供多數載流子（majority carrier）的源極以及接受這些多數載流子的漏極。
箭頭方向永遠從p端指向n端，所以箭頭從通道 指向 「基極」 端的為p型的mosfet，或簡稱pmos（代表此元件的通道為p型）；
反之若箭頭從 基極 指向 通道，則代表基極為p型，而通道為n型，此元件為n型的mosfet，簡稱nmos。
場效應電晶體是電壓控制項，而雙極結型電晶體是電流控制項。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效電晶體；而在訊號電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應選用雙極電晶體。
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