1. nand flash原理圖
訊號線只有ldata[0:7]，既傳送命令，傳送位址，還能讀寫資料。
nand flash引腳定義：
rnb ： 狀態訊號
nfce ： 片選訊號
cle ： 為高表示當前 ldata上的資料是命令
nfwe ： 寫
nfre ： 讀
2.辨別nand flash
每個nand flash裡面都有乙個讀id命令，可以通過id判斷nand flash型號。
再看讀id的時序圖：
從上面時序圖看出：
讀id的順序如下：
①首先拉低ce，即選中晶元
②拉低we，表示寫， 同時把資料0x90寫到匯流排
③cle = 1高脈衝表示當前為命令
④ale = 1；拉高ale， 表示當前是位址， 傳送位址0x00
⑤讀id， 第乙個位元組0xec
對於s3c2440來說怎麼操作呢？
① 選中晶元， 即nfcont暫存器（0x4e000004）的bit1 寫 0
在u-boot裡面操作：
mw.l 4e000008 1 // 片選，設定4e000008 的bit1 = 0
mw.l 4e000008 90 // nfcmmd = 0x90
mw.l 4e00000c 0x00 // nfaddr = 0x00
md.b 4e000010 // read nfdata 得到0xec
md.b 4e000010 // read nfdata 得到0xda
對比datasheet裡面的read id可知我的mini2440的開發板是k9f2g08x0a， 大小是256m
NAND Flash硬體原理
一 儲存資料的原理 兩種快閃儲存器都是用三端器件作為儲存單元，分別為源極 漏極和柵極，與場效電晶體的工作原理相同，主要是利用電場的效應來控制源極與漏極之間的通斷，柵極的電流消耗極小，不同的是場效電晶體為單柵極結構，而flash為雙柵極結構，在柵極與矽襯底之間增加了乙個浮置柵極。浮置柵極是由氮化物夾在...
nand flash 讀寫操作
1 頁讀 如下所示，先輸入讀命令 0x00 然後輸入5個位址，分為2個列位址 頁內位址 和3個行位址 頁和block位址 再輸入讀確認位址0x30，nand硬體會自動從指定的頁的主儲存區讀資料到頁快取 頁暫存器 此時r b 為低電平，當內部讀完成後，r b 恢復為高電平，此時便可以通過nfc的資料暫...
nandflash詳細操作
下面介紹讀操作，讀操作是以頁為單位進行的。如果在讀取資料的過程中不進行ecc校驗判斷，則讀操作比較簡單，在寫入讀命令的兩個週期之間寫入要讀取的頁位址，然後讀取資料即可。如果為了更準確地讀取資料，則在讀取完資料之後還要進行ecc校驗判斷，以確定所讀取的資料是否正確。在上文中我們已經介紹過，nandfl...