1.nandflash就是嵌入式系統的硬碟
2.分類
（1）mlc：儲存單元格儲存兩位，慢，偏移，壽命短，容量大
（2）slc：儲存一位。快，壽命長，容量小，昂貴
3訪問；
（1）獨立編址，有專用的控制器，控制器裡有相應的暫存器，先送位址，然後命令，最後資料
（2）位址組成：行位址（頁編號），列位址（在頁中的偏移），乙個nand可以有很多塊，每一塊可以很多頁，每一頁的兩個部分可以不同規格
（3）訊號引腳：
4.初始化nand控制器，（搜尋關鍵字operation）
（1）初始化nfconf，配置三個重要的與hclk有關的時間引數
（2）初始化ngcont，一開始要disable chip select 以及使能控制器
（3）復位：選中nandflash，清除rb標誌，傳送0xff命令，等待rb訊號，取消選中rb訊號
5.按頁讀
（1）選中nandflash
（2）清除rb標誌
（3）寫入0x00命令
（4）傳送列位址，兩次（但是由於是頁讀的方式，所以列位址，即頁中的偏移量就是0）
（5）傳送頁編號，即行位址，分三次完成
（6）傳送0x30命令
（7）等待rb訊號變為ready
（8）讀出資料，每次都取出資料暫存器的值，他會自動更新自己的值
（9）取消選中nandflash
6.修改之前的**拷貝啟動**（之前只從iram複製到記憶體）
（1）時鐘初始化有問題，錯把upll當mpll
（2）彙編和c語言的引數傳遞，不超過4個的時候，直接用r0--r3傳遞，且順序和從函式的形參一致
（3）注意儲存lr，否則連續兩次跳轉，會破壞lr，導致在執行完複製函式以後，不能返回到應執行的初始化後續**部分
（4）注意在呼叫c函式之前進行棧的初始化
7.拷貝函式的三個引數，頁的起始位址r0，（ulong，但是由於是頁讀方式，所以要去掉低11位，低11位是列位址，這裡我們要去頁編號，即行位址），記憶體起始位址r1（目標起始位址，uchar*），資料大小r3，每一頁對應2048個位元組（2k，視具體nandflash而言，每乙個迴圈，大小減小2048）
8.一旦要去讀取（等待）rb訊號，之前就要對其進行清除；
一旦有選中操作，在結束之後要取消選中。
9.寫入之前要擦除,引數是要擦除的頁位址，擦除的是指定的頁所在的塊：
（1）選中nandflash
（2）清除rb標誌
（3）寫入0x60命令
（4）傳送頁編號，即行位址，分三次完成
（5）傳送0xd0命令
（6）等待rb訊號變為ready
（7）傳送命令0x70
（8）讀取擦出結果
（9）取消選中nandflash
（10）返回擦除結果
10.按頁寫
（1）選中nandflash
（2）清除rb標誌
（3）寫入0x80命令
（4）傳送列位址，兩次（但是由於是頁讀的方式，所以列位址，即頁中的偏移量就是0）
（5）傳送頁編號，即行位址，分三次完成
（6）寫入資料，用迴圈
（7）傳送0x10命令
（8）等待rb訊號變為ready
（9）傳送命令0x70，
（10）讀取寫入結果，從資料暫存器讀
（11）取消選中nandflash
（12）返回寫入結果
nand flash 讀寫操作
1 頁讀 如下所示，先輸入讀命令 0x00 然後輸入5個位址，分為2個列位址 頁內位址 和3個行位址 頁和block位址 再輸入讀確認位址0x30，nand硬體會自動從指定的頁的主儲存區讀資料到頁快取 頁暫存器 此時r b 為低電平，當內部讀完成後，r b 恢復為高電平，此時便可以通過nfc的資料暫...
nandflash詳細操作
下面介紹讀操作，讀操作是以頁為單位進行的。如果在讀取資料的過程中不進行ecc校驗判斷，則讀操作比較簡單，在寫入讀命令的兩個週期之間寫入要讀取的頁位址，然後讀取資料即可。如果為了更準確地讀取資料，則在讀取完資料之後還要進行ecc校驗判斷，以確定所讀取的資料是否正確。在上文中我們已經介紹過，nandfl...
nand flash操作原理
1.nand flash原理圖 訊號線只有ldata 0 7 既傳送命令，傳送位址，還能讀寫資料。nand flash引腳定義 rnb 狀態訊號 nfce 片選訊號 cle 為高表示當前 ldata上的資料是命令 nfwe 寫 nfre 讀 2.辨別nand flash 每個nand flash裡面...