當對乙個cell進行讀操作時，對相應的wordline施加vread電壓，對其他wordline施加vpass電壓，如上圖所示。狀態為「0」的cell（被program的cell）的vth均大於0，狀態為「1」的cell（被erase的cell）的vth均小於1，且所有cell的vth有乙個上限，所以對其他cell施加乙個能確保導通的vpass電壓， 對要讀資料的cell加乙個電壓值在兩種狀態之間的vread，如果該cell為「0」，則不會形成source到drain端的通路，在bitline上檢測不到電流，反之可以檢測到電流。電流的檢測是通過sense amplifier實現的。
以上過程只是針對slc cell，對於mlc，tlc，具有更多的狀態，讀的過程也更加複雜。
inside nand flash memories
nand flash 讀寫操作
1 頁讀 如下所示，先輸入讀命令 0x00 然後輸入5個位址，分為2個列位址 頁內位址 和3個行位址 頁和block位址 再輸入讀確認位址0x30，nand硬體會自動從指定的頁的主儲存區讀資料到頁快取 頁暫存器 此時r b 為低電平，當內部讀完成後，r b 恢復為高電平，此時便可以通過nfc的資料暫...
NAND FLASH 讀寫定址方式
來自小不懂的不懂的網易blog nand flash的定址方式和nand flash的memory組織方式緊密相關。nand flash的資料是以bit的方式儲存在memory cell，一般來說，乙個cell中只能儲存乙個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的...
NAND FLash基礎概念介紹
一 引腳介紹 引腳名稱 引腳功能 cle 命令鎖存功能 ale位址鎖存功能 ce晶元使能 re讀使能 we寫使能 wp寫保護 r b就緒 忙輸出訊號 vcc 電源 vss 地 n.c 不接 io0 io7 資料傳輸 命令 位址 1.命令 位址 資料都通過8個i o口傳輸 2.寫命令 位址 資料時，都...