下面介紹讀操作，讀操作是以頁為單位進行的。如果在讀取資料的過程中不進行ecc校驗判斷，則讀操作比較簡單，在寫入讀命令的兩個週期之間寫入要讀取的頁位址，然後讀取資料即可。如果為了更準確地讀取資料，則在讀取完資料之後還要進行ecc校驗判斷，以確定所讀取的資料是否正確。
在上文中我們已經介紹過，nandflash
的每一頁有兩區：main區和spare區，main區用於儲存正常的資料，spare區用於儲存其他附加資訊，其中就包括ecc校驗碼。當我們在寫入資料的時候，我們就計算這一頁資料的ecc校驗碼，然後把校驗碼儲存到spare區的特定位置中，在下次讀取這一頁資料的時候，同樣我們也計算ecc校驗碼，然後與spare區中的ecc校驗碼比較，如果一致則說明讀取的資料正確，如果不一致則不正確。ecc的演算法較為複雜，好在s3c2440能夠硬體產生ecc校驗碼，這樣就省去了不少的麻煩事。s3c2440即可以產生main區的ecc校驗碼，也可以產生spare區的ecc校驗碼。因為k9f2g08u0a是8位io口，因此s3c2440共產生4個位元組的main區ecc碼和2個位元組的spare區ecc碼。在這裡我們規定，在每一頁的spare區的第0個位址到第3個位址儲存main區ecc，第4個位址和第5個位址儲存spare區ecc。產生ecc校驗碼的過程為：在讀取或寫入哪個區的資料之前，先解鎖該區的ecc，以便產生該區的ecc。在讀取或寫入完資料之後，再鎖定該區的ecc，這樣系統就會把產生的ecc碼儲存到相應的暫存器中。main區的ecc儲存到nfmecc0/1中（因為k9f2g08u0a是8位io口，因此這裡只用到了nfmecc0），spare區的ecc儲存到nfsecc中。對於讀操作來說，我們還要繼續讀取spare區的相應位址內容，已得到上次寫操作時所儲存的main區和spare區的ecc，並把這些資料分別放入nfmeccd0/1和nfseccd的相應位置中。最後我們就可以通過讀取nfestat0/1（因為k9f2g08u0a是8位io口，因此這裡只用到了nfestat0）中的低4位來判斷讀取的資料是否正確，其中第0位和第1位為main區指示錯誤，第2位和第3位為spare區指示錯誤。
下面就給出一段具體的頁讀操作程式：
u8 rnf_readpage(u32 page_number)
nf_mecc_lock(); //鎖定main區ecc值
nf_secc_unlock(); //解鎖spare區ecc
mecc0=nf_rddata(); //讀spare區的前4個位址內容，即第2048~2051位址，這4個位元組為main區的ecc
//把讀取到的main區的ecc校驗碼放入nfmeccd0/1的相應位置內
rnfmeccd0=((mecc0&0xff00)<<8)|(mecc0&0xff);
rnfmeccd1=((mecc0&0xff000000)>>8)|((mecc0&0xff0000)>>16);
nf_secc_lock(); //鎖定spare區的ecc值
secc=nf_rddata(); //繼續讀spare區的4個位址內容，即第2052~2055位址，其中前2個位元組為spare區的ecc值
//把讀取到的spare區的ecc校驗碼放入nfseccd的相應位置內
rnfseccd=((secc&0xff00)<<8)|(secc&0xff);
nf_nfce_h(); //關閉nandflash片選
//判斷所讀取到的資料是否正確
if ((rnfestat0&0xf) == 0x0)
return 0x66; //正確
else
return 0x44; //錯誤
}這段程式是把某一頁的內容讀取到全域性變數陣列buffer中。該程式的輸入引數直接就為k9f2g08u0a的第幾頁，例如我們要讀取第128064頁中的內容，可以呼叫該程式為：rnf_readpage(128064);。由於第128064頁是第2001塊中的第0頁（128064＝2001×64＋0），所以為了更清楚地表示頁與塊之間的關係，也可以寫為：rnf_readpage(2001*64);。
頁寫操作的大致流程為：在兩個寫命令週期之間分別寫入頁位址和資料，當然如果為了保證下次讀取該資料時的正確性，還需要把main區的ecc值和spare區的ecc值寫入到該頁的spare區內。然後我們還需要讀取狀態暫存器，以判斷這次寫操作是否正確。下面就給出一段具體的頁寫操作程式，其中輸入引數也是要寫入資料到第幾頁：
u8 rnf_writepage(u32 page_number)
nf_mecc_lock(); //鎖定main區的ecc值
mecc0=rnfmecc0; //讀取main區的ecc校驗碼
//把ecc校驗碼由字型轉換為位元組型，並儲存到全域性變數陣列eccbuf中
eccbuf[0]=(u8)(mecc0&0xff);
eccbuf[1]=(u8)((mecc0>>8) & 0xff);
eccbuf[2]=(u8)((mecc0>>16) & 0xff);
eccbuf[3]=(u8)((mecc0>>24) & 0xff);
nf_secc_unlock(); //解鎖spare區的ecc
//把main區的ecc值寫入到spare區的前4個位元組位址內，即第2048~2051位址
for(i=0;i<4;i++)
nf_secc_lock(); //鎖定spare區的ecc值
secc=rnfsecc; //讀取spare區的ecc校驗碼
//把ecc校驗碼儲存到全域性變數陣列eccbuf中
eccbuf[4]=(u8)(secc&0xff);
eccbuf[5]=(u8)((secc>>8) & 0xff);
//把spare區的ecc值繼續寫入到spare區的第2052~2053位址內
for(i=4;i<6;i++)
nf_cmd(cmd_write2); //頁寫命令週期2
delay(1000); //延時一段時間，以等待寫操作完成
nf_cmd(cmd_status); //讀狀態命令
//判斷狀態值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與nf_detect_rb();相同
dowhile(!(stat&0x40));
nf_nfce_h(); //關閉nandflash片選
//判斷狀態值的第0位是否為0，為0則寫操作正確，否則錯誤
if (stat & 0x1)
else
return 0x66; //寫操作成功
}該段程式先判斷該頁所在的壞是否為壞塊，如果是則退出。在最後寫操作失敗後，還要標註該頁所在的塊為壞塊，其中所用到的函式rnf_isbadblock和rnf_markbadblock，我們在後面介紹。我們再總結一下該程式所返回數值的含義，0x42：表示該頁所在的塊為壞塊；0x43：表示寫操作失敗，並且在標註該頁所在的塊為壞塊時也失敗；0x44：表示寫操作失敗，但是標註壞塊成功；0x66：寫操作成功。
nand flash 讀寫操作
1 頁讀 如下所示，先輸入讀命令 0x00 然後輸入5個位址，分為2個列位址 頁內位址 和3個行位址 頁和block位址 再輸入讀確認位址0x30，nand硬體會自動從指定的頁的主儲存區讀資料到頁快取 頁暫存器 此時r b 為低電平，當內部讀完成後，r b 恢復為高電平，此時便可以通過nfc的資料暫...
nand flash操作原理
1.nand flash原理圖 訊號線只有ldata 0 7 既傳送命令，傳送位址，還能讀寫資料。nand flash引腳定義 rnb 狀態訊號 nfce 片選訊號 cle 為高表示當前 ldata上的資料是命令 nfwe 寫 nfre 讀 2.辨別nand flash 每個nand flash裡面...
nandflash操作詳解
1.nandflash就是嵌入式系統的硬碟 2.分類 1 mlc 儲存單元格儲存兩位，慢，偏移，壽命短，容量大 2 slc 儲存一位。快，壽命長，容量小，昂貴 3訪問 1 獨立編址，有專用的控制器，控制器裡有相應的暫存器，先送位址，然後命令，最後資料 2 位址組成 行位址 頁編號 列位址 在頁中的偏...