NAND FLASH命名規則

基於網路的乙個修訂版

搜了下東芝的好像比較少有介紹，就找到乙個表，貼上

型號

結構

頁結構

塊結構

工作電壓

(v)

溫度

讀速度

(ns)

封裝

生產狀態

注釋

2gb

th58nvg1s3aft05

256m x 8

2112b

128kb

2.7 ~ 3.6

c,i 50

48tsop-i 量產

1gb

th58100ft

128m x 8

528b

16kb

2.7 ~ 3.6

c,i 50

48tsop-i 量產

-th58dvg02a1ft00

tc58nvg0s3ft05

2112b

128kb c

512mb

tc58512ft

64m x 8

528b

16kb

2.7 ~ 3.6

c,i 50

48tsop-i 量產

-tc58dvm92a1ft00 -

256mb

tc58256aft

32m x 8

528b

16kb

2.7 ~ 3.6

c,i 50

48tsop-i

tc582562axb

56tfbga

tc58dvm82a1ft00

48tsop1

tc58dvm82a1xbj1

56tfbga

k9f5616q0c

16m x 16

264w

8kw c

48tsop1

128mb

tc58128aft

16m x 8

528b

16kb

2.7 ~ 3.6

c,i 50

48tsop-i

tc58dvm72a1ft00

tc58dvm72f1ft00

8m x 16

264w

8k w

2.7 ~ 3.6

64mb

tc58v64bft

8m x 8

528b

8kb1.65 ~ 1.95 c

5044tsop-ii 量產

tc58v64bfti

2.7 ~ 3.6 i

[note]

industrial(-40°c~85°c)

2.to get pinout and package

NAND FLASH命名規則

基於網路的乙個修訂版 搜了下東芝的好像比較少有介紹，就找到乙個表，貼上 型號 結構 頁結構 塊結構 工作電壓 v 溫度 讀 速度 ns 封裝 生產狀態 注釋 2gb th58nvg1s3aft05 256m x 8 2112b 128kb 2.7 3.6 c,i 50 48tsop i 量產 1gb...

匈牙利命名規則

匈牙利命名規則建議變數名稱以乙個或多個字母開頭，這些小寫字母用以標識其變數型別，型別標識字母的下乙個字母一般採用大寫。型別定義使用相同的型別識別符號作為字首，唯一不同的是，型別定義名稱一般全部使用大寫。表1 匈牙利命名規則約定 字首 資料型別 例子 b boolean bispresent,bval...

元件命名規則

元件命名規則 c和p的命名規則 tinyos 所有的終端程式元件都以字母c或p為結尾。以c結尾所命名的元件表示它是乙個可用的抽象，而以p結尾的元件則表示它是私有的。以p結尾的元件不能被直接的連線，但可以對它做一些封裝以使它變成可用 變成名字以c結束的 硬體平台抽象命名規則 tinyos 2.0中的硬...