nand flash 是乙個儲存晶元
問2：從nand flash晶元手冊可知，要操作nand flash需要先發出命令，怎麼傳入命令。
當ale為高電平時傳輸的是位址
當cle為高電平時傳輸的是命令
當ale和cle為低電平時傳輸的是資料
問3：資料線既接到nand flash，也接到nor flash，還接到sdram等等，怎麼避免干擾？
答：這些裝置，要訪問之前必須選中
沒有選中的晶元不會工作，相當於沒有接一樣
答：通過狀態引腳rnb來判斷：它為高電平表示就緒，它為低電平正忙。
怎麼操作nand flash呢？
答：根據nand flash的晶元手冊，一般的過程是：
發出命令
發出位址
讀寫資料
以上操作可以從時序圖上得到
我們先看下nandflash的佈線
有data0 到data7 八根資料線
nandflash是個儲存晶元，那我提出請求：讀位址a的資料，把資料b寫到a位址上去
那麼我們看原理圖只看到data0-data7,沒有看到位址引腳，那怎麼把位址傳給我們的開發板
復用，這幾個引腳即傳資料也傳位址
怎麼分別是資料還是位址呢，有個ale訊號，當ale是高電平時，傳輸的是位址
但是它不僅只傳輸位址和資料，還傳輸命令，在nand flash晶元手冊可知，要操作nandflash要先發出命令，只有八條資料線，怎麼傳輸命令呢？？？
當cle為高電平的時候傳輸的就是命令，當ale和cle都為低電平的時候傳輸的是資料。
這個data0 有的開發板不僅僅只接nandflash，還有的接norflash等等非常多的地方
資料線 位址線等即接到nandflash,也接到norflash,還接到sdram，dm9000等等。怎麼避免干擾，比如說我訪問nandflash的時候，norflash就不要給我提供資料
你就要相當與沒接一樣，怎麼避免干擾呢？？？
就是通過這些裝置要訪問之前，必須選中，什麼叫選中呢，他們都有片選訊號，就要我們的片選引腳變為低電平選中，就是cs引腳，沒有選中的晶元不會工作，相當於沒接一樣
假設燒寫nandflash,把資料、命令、位址發給他之後，nandflash肯定是不可能瞬間完成的，怎麼判斷燒寫完成，通過狀態引腳rnb來判斷，它為高電平表示完成就緒。為低電平表示正忙
we和re就是讀寫訊號..
怎麼操作nandflash
根據nandflash的晶元手冊，一般過程是：發出命令，發出位址，讀寫資料。
nandflash的命令**如下
我們往下看，拿個例子來看，讀id這個例子的時序圖
每個nandflash都會內嵌id，比如廠家id啊等等。
時序圖 橫軸是時間，時序圖怎麼看呢 ，從左往右看。縱向方向就是一列一列 來看
然後可以看到發出命令 90,怎麼知道的 ，在資料線上發出90這個值，怎麼知道它是命令的，就是cle是高電平。然後給它乙個寫脈衝。這個寫訊號的上公升沿nandflash就會把資料存進來，它就知道了我是乙個命令。
然後接著發出乙個0位址，然後就可以讀資料了
對於我們晶元來說裡面整合了乙個nandflash控制器，內部接線。它幫我們簡化了這些操作，
nandflash 晶元（rus5pv210）
選中晶元
發命令的操作cle變為高電平把命令值寫到nfcmd暫存器裡就可以了
在data0-data7輸出命令值
提供乙個寫脈衝
選中晶元
發位址ale輸出高電平
在data0-data7輸出位址值把位址寫入nfaddr暫存器裡就可以了
提供乙個寫脈衝
選中晶元
發資料ale,cle輸出低電平
在data0-data7輸出資料的值把位址寫入nfdata暫存器裡就可以了
提供乙個寫脈衝
選中晶元
讀資料發出乙個讀脈衝
讀data0-data7的資料
我們可以用uboot體驗nandflash的操作
1.讀id，時序圖在上面
選中發出0x90命令
發出位址0x00
讀第乙個資料會得到0xec
讀第二個資料得到device code
選中的話晶元手冊的nand flash章節 可以知道
選為0為選中
發出命令就是把命令寫到下面這個暫存器裡面去
同理 位址和資料也是一樣暫存器如下
但是在uboot裡面怎麼操作呢
uboot裡面有命令可以讀記憶體的
md.w 0xb0e0_0004 1 這命令表示讀 0xb0e00004 讀一次
mw.w 是寫命令
md 記憶體顯示 b是以位元組為單位，w是以2字為單位，l是以四位元組為單位
讀id命令流程如圖
讀出dc
我們驗證一下 nandflash裡面讀id下面就有這張圖
結束讀id的命令 就是nfcmd 暫存器等於0xff 就是命令的reset
2.讀資料
我們可以根據uboot的nand dump 0命令讀取0位址的資料
我們來一下nandflash讀操作的時序圖
為什麼中間有五個位址
看容量讀00資料命令如下
跟上面的輸出是一樣的
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