ddr3的內部是乙個儲存陣列，將資料「填」進去，你可以它想象成一張**。和**的檢索原理一樣，先表題（bank）指定乙個行（row），再指定乙個列（column），我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是記憶體晶元定址的基本原理。
對於記憶體，這個單元格可稱為儲存單元,那麼這個**（儲存陣列）就是邏輯 bank（logical bank，下面簡稱bank）。 目前ddr3記憶體晶元基本上都是8個bank設計，也就是說一共有8個這樣的「**」。
定址的流程也就是先指定bank位址，再指定行位址，然後指列位址最終的確定址單元。
ddr3內部bank示意圖，這是乙個nxn的陣列，b代表bank位址編號，c代表列位址編號，r代表行位址編號。
如果定址命令是b1、r2、c6，就能確定位址是圖中紅格的位置
DDR工作原理
總結 在實際工作中，l bank位址與相應的行位址是同時發出的，此時這個命令稱之為 行有效 或 行啟用 row active 在此之後，將傳送列位址定址命令與具體的操作命令 是讀還是寫 這兩個命令也是同時發出的，所以一般都會以 讀 寫命令 來表示列定址。1 trcd定義 2 cl定義 相關的列位址被...
ddr2 工作時序與原理
1.4 bit prefetch 直接上乙個表，看看ddr2的三個頻率的關係，下圖是內部時鐘均為133mhz的ddr2 ddr sdram的比較，由圖可以看到，相比於ddr，ddr2由於是4 bit prefetch，外部時鐘是內部匯流排時鐘的2倍，而ddr和sdram中，這兩個時鐘頻率相等 在 s...
DDR基礎原理介紹
ddr基礎原理介紹 1 前言 ddr的全稱為double data rate sdram，雙倍速率的sdram，sdram在乙個clk週期傳輸一次資料，ddr在乙個clk週期傳輸兩次資料，分別在上公升沿和下降沿各傳輸一次資料，該概念稱為預取，在描述ddr速度的時候一般使用mt s單位，每秒多少兆次資...