from：
trcd： ras to cas delay，ras至cas延遲；
cl： cas latency，cas潛伏期（又稱讀取潛伏期），從cas與讀取命令發出到第一筆資料輸出的時間段；
rl： read latency,讀取潛伏期；
tac： access time from clk,時鐘觸發後的訪問時間，從資料i/o匯流排上有資料輸出之前的乙個時鐘上公升沿開始到資料傳到i/o匯流排上止的這段時間；
twr： write recovery time,寫回，保證資料的可靠寫入而留出足夠的寫入/校正時間，被用來表明對同乙個bank的最後有效操作到預充電命令之間的時間量；
bl： burst lengths,突發長度，突發是指在同一行中相鄰的儲存單元連續進行資料傳輸的方式，連續傳輸所涉及到儲存單元（列）的數量就是突發長度(sdram)，在ddr sdram中指連續傳輸的週期數；
precharge：l-bank關閉現有工作行，準備開啟新行的操作；
trp： precharge command period，預充電有效週期，在發出預充電命令之後，要經過一段時間才能允許傳送ras行有效命令開啟新的工作行；
al： additive latency，附加潛伏期（ddr2）；
wl： write latency，寫入命令發出到第一筆資料輸入的潛伏期；
tras: active to precharge command，行有效至預充電命令間隔週期；
tdqss： write command to the first corresponding rising edge of dqs，dqs相對於寫入命令的延遲時間；
邏輯bank
sdram的內部是乙個儲存陣列，要想準確地找到所需的儲存單元就先指定乙個（row）,再指定乙個列（column）,這就是記憶體晶元定址的基本原理。
晶元位寬
sdram記憶體晶元一次傳輸率的資料量就是晶元位寬，那麼這個儲存單元的容量就是晶元的位寬（也是l-bank的位寬）；
儲存單元數量=行數*列數（得到乙個l-bank的儲存單元數量）*l-bank的數量也可用m*w的方式表示晶元的容量，m是該晶元中儲存單元的總數，單位是兆（英文簡寫m，精確值是1048576），w代表每個儲存單元的容量，也就是sdram晶元的位寬，單位是bit；
ddr sdram內部儲存單元容量是晶元位寬（晶元i/o口位寬）的一倍；
ddr2 sdram內部儲存單元容量是晶元位寬的四倍；
ddr3 sdram內部儲存單元容量是晶元位寬的八倍；
ddr4 sdram內部儲存單元容量是晶元位寬的八倍。
DDR掃盲 DDR的發展簡史
from ddr的種類 1 ddr sdram double data rate synchronous dynamic random access memory，雙倍資料率同步動態隨機訪問儲存器 2 ddr2 sdram double data rate two synchronous dynam...
DDR掃盲 DDR的特性分析
from 儲存原理 儲存原理示意圖 行選與列選訊號將使儲存電容與外界間的傳輸電路導通，從而可進行放電 讀取 與充電 寫入 另外，圖中重新整理放大器的設計並不固定，目前這一功能被併入讀出放大器 sense amplifier 簡稱s amp dll 延遲鎖定迴路 dll 的任務是根據外部時鐘動態修正內...
DDR掃盲 DDR與DDR2 DDR3的區別
from ddr2與ddr的區別 1 速率與預取量 ddr2的實際工作頻率是ddr的兩倍，ddr2記憶體擁有兩倍於標準ddr記憶體的4bit預期能力。2 封裝與電壓 ddr封裝為tsopii，ddr2封裝為fbga ddr的標準電壓為2.5v，ddr2的標準電壓為1.8v。3 bit pre fet...