ddr2
與ddr
的區別
與ddr相比，ddr2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於ddr記憶體兩倍的頻寬。這主要是通過在每個裝置上高效率使用兩個dram核心來實現的。作為對比，在每個裝置上ddr記憶體只能夠使用乙個dram核心。技術上講，ddr2記憶體上仍然只有乙個dram核心，但是它可以並行訪問，在每次訪問中處理4個資料而不是兩個資料。
ddr2與ddr的區別示意圖
與雙倍速執行的資料緩衝相結合，ddr2記憶體實現了在每個時鐘週期處理多達4bit的資料，比傳統ddr記憶體可以處理的2bit資料高了一倍。ddr2記憶體另乙個改進之處在於，它採用fbga封裝方式替代了傳統的tsop方式。
然而，儘管ddr2記憶體採用的dram核心速度和ddr的一樣，但是我們仍然要使用新主機板才能搭配ddr2記憶體，因為ddr2的物理規格和ddr是不相容的。首先是介面不一樣，ddr2的針腳數量為240針，而ddr記憶體為184針；其次，ddr2記憶體的vdimm電壓為1.8v，也和ddr記憶體的2.5v不同。
ddr2的定義：
ddr2（double data rate 2） sdram是由jedec（電子裝置工程聯合委員會）進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代ddr記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上公升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但ddr2記憶體卻擁有兩倍於上一代ddr記憶體預讀取能力（即：4bit資料讀預取）。換句話說，ddr2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫資料，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。
此外，由於ddr2標準規定所有ddr2記憶體均採用fbga封裝形式，而不同於目前廣泛應用的tsop/tsop-ii封裝形式，fbga封裝可以提供了更為良好的電氣效能與散熱性，為ddr2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起ddr的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的ddr200經過ddr266、ddr333到今天的雙通道ddr400技術，第一代ddr的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高記憶體的工作速度；隨著intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定執行頻率的ddr2記憶體將是大勢所趨。
ddr2與ddr的區別：
在了解ddr2記憶體諸多新技術前，先讓我們看一組ddr和ddr2技術對比的資料。
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，ddr2的實際工作頻率是ddr的兩倍。這得益於ddr2記憶體擁有兩倍於標準ddr記憶體的4bit預讀取能力。換句話說，雖然ddr2和ddr一樣，都採用了在時鐘的上公升延和下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但ddr2擁有兩倍於ddr的預讀取系統命令資料的能力。也就是說，在同樣100mhz的工作頻率下，ddr的實際頻率為200mhz，而ddr2則可以達到400mhz。
這樣也就出現了另乙個問題：在同等工作頻率的ddr和ddr2記憶體中，後者的記憶體延時要慢於前者。舉例來說，ddr 200和ddr2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的頻寬。實際上，ddr2-400和ddr 400具有相同的頻寬，它們都是3.2gb/s，但是ddr400的核心工作頻率是200mhz，而ddr2-400的核心工作頻率是100mhz，也就是說ddr2-400的延遲要高於ddr400。
2、封裝和發熱量：
ddr2記憶體技術最大的突破點其實不在於使用者們所認為的兩倍於ddr的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，ddr2可以獲得更快的頻率提公升，突破標準ddr的400mhz限制。
ddr記憶體通常採用tsop晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200mhz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提公升的難度。這也就是ddr的核心頻率很難突破275mhz的原因。而ddr2記憶體均採用fbga封裝形式。不同於目前廣泛應用的tsop封裝形式，fbga封裝提供了更好的電氣效能與散熱性，為ddr2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
ddr2記憶體採用1.8v電壓，相對於ddr標準的2.5v，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
ddr2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，ddr2還引入了三項新的技術，它們是ocd、odt和post cas。
ocd（off-chip driver）：也就是所謂的離線驅動調整，ddr ii通過ocd可以提高訊號的完整性。ddr ii通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用ocd通過減少dq-dqs的傾斜來提高訊號的完整性；通過控制電壓來提高訊號品質。
odt：odt是內建核心的終結電阻器。我們知道使用ddr sdram的主機板上面為了防止資料線終端反射訊號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上，不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了資料線的訊號比和反射率，終結電阻小則資料線訊號反射低但是訊雜比也較低；終結電阻高，則資料線的訊雜比高，但是訊號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配記憶體模組，還會在一定程度上影響訊號品質。ddr2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的訊號波形。使用ddr2不但可以降低主機板成本，還得到了最佳的訊號品質，這是ddr不能比擬的。
post cas：它是為了提高ddr ii記憶體的利用效率而設定的。在post cas操作中，cas訊號（讀寫/命令）能夠被插到ras訊號後面的乙個時鐘週期，cas命令可以在附加延遲（additive latency）後面保持有效。原來的trcd（ras到cas和延遲）被al（additive latency）所取代，al可以在0，1，2，3，4中進行設定。由於cas訊號放在了ras訊號後面乙個時鐘週期，因此act和cas訊號永遠也不會產生碰撞衝突。
總的來說，ddr2採用了諸多的新技術，改善了ddr的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決
DDR2與DDR的區別
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記憶體 DDR2與DDR
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