了解完二極體和 pm 結原理後，就可以看懂簡單的邏輯電路了
或門 or
或非 nor
與非 nand
在物理學中，載流子（charge carrier）簡稱載子（carrier），指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。在半導體物理學中，電子流失導致共價鍵上留下的空位（空穴）被視為載流子。— wiki
在半導體中，電子和空穴作為載流子。數目較多的載流子稱為多數載流子；在n型半導體中多數載流子是電子，而在p型半導體中多數載流子是空穴。數目較少的載流子稱為少數載流子；在n型半導體中少數載流子是空穴，而在p型半導體中少數載流子是電子。[1]
— wiki
場效電晶體（英語：field-effecttransistor，縮寫：fet**）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。g 柵極通過控制電壓，控制 p 溝道的載流子，從而控制 pn 結的寬度，參考：場效電晶體及其放大電路它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種型別載流子的溝道的導電性。
— wiki
在 vgs 為 0 時，pn 結最小，導電 n 溝道最寬，導電性能最好
當 vgs 負電壓增大，電子流入 p 溝道，p 溝道載流子減少，n 溝道為平衡 pn 結的內電場，n 溝道的載流子也變小，從而導致 pn 結變寬。
vds 的原理大致與 vgs 相同
當 vds 增強時，也會出現溝道夾斷的情況。
此處還待進一步思考
二極體電路實現
vcc：電路供電電壓 為10v，假設 3v 以上為高電平，3v 以下為低電平。參考：二極體與閘電路原理
uy0（正偏）/ 0
0（正偏）/ 0
0.7v / 0
3v （反偏）/ 1
0 （正偏）/ 0
0.7v / 0
0 （正偏）/ 0
3v （反偏）/ 1
0.7v / 0
3v （正偏）/ 1
3v （正偏）/ 1
3.7v / 1
繼電器實現
cmos與門
pn結指向內的為nmos管, pn 結指向外部的為 pmos [4]
nmos的特性，vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4v或10v就可以了。t1, t2, t5 為 pmos，0 導通，1 不導通pmos的特性，vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接vcc時的情況（高階驅動）。但是，雖然pmos可以很方便地用作高階驅動，但由於導通電阻大，**貴，替換種類少等原因，在高階驅動中，通常還是使用nmos。[5]
t3，t4，t6 為 nmos，1 導通，0 不導通
a，bt1，t2，t3，t4
t5，t6 柵極
t5，t6
y0，0
通，通，不通，不通
1不通，通
01，0
不通，通，通，不通
1不通，通
00，1
通，不通，不通，通
1不通，通
01，1
不通，不通，通，通
0通，不通
nmos 與門
假設與 a 直連的 nmos 為 t1，與 b 直連的 nmos 為 t2，與 f 直連的為 t3
l0（正偏）/ 0
0（正偏）/ 0
0v / 0
5v （正偏）/ 1
0 （反偏）/ 0
5v / 1
0 （反偏）/ 0
5v （正偏）/ 1
5v / 1
5v （正偏）/ 1
5v （正偏）/ 1
5v / 1
或非門具有函式完備性，和與非門一樣可以僅用其實現其他所有的邏輯功能。
電路圖如下，並假設與 a 直連的 mos 為 t1，與 b 直連的 mos 為 t2
當 a、b 中任意乙個為高電平，則 f 和 gnd 連線為低電平，只有 a、b 都為低電平時，f 才為高電平。
輸入a
b輸出a nor b00
1010
1001
10nmos
cmos
nmos, 僅 a，b 都為高電平使得 t2，t3 導通，y 才為低電平
cmos 如下：
a，bt1，t2，t3，t4
y0，0
通，通，不通，不通
10，1
通，不通，不通，通
11，0
不通，通，通，不通
11，1
不通，不通，通，通
0二極體與閘電路原理
場效電晶體及其放大電路
邏輯門如何判斷nmos管和pmos管？
nmos & pmos
CMOS級邏輯電路實現綜述
第一次寫，自己看的，覺得挺有用的，對較簡單的cmos閘電路，像與非門 p並n串 或非門 p串n並 記憶方面也有幫助。cmos邏輯電路，分兩部分，上拉部分，下拉部分。上拉部分由pmos管電路構成，下拉部分由nmos管電路組成，如下。上下拉，形成互補。由前面的基礎可知，cmos只能實現基本邏輯的非，比如...
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