一、引腳介紹
引腳名稱
引腳功能
cle
命令鎖存功能
ale位址鎖存功能
/ce晶元使能
/re讀使能
/we寫使能
/wp寫保護
r/b就緒/忙輸出訊號
vcc 電源
vss 地
n.c 不接
io0~io7
資料傳輸、命令、位址
1. 命令、位址、資料都通過8個i/o口傳輸
2. 寫命令、位址、資料時，都須要將we、ce訊號同一時候拉低
3. 資料在we訊號的上公升沿被nand flash鎖存
4. 命令鎖存訊號cle和位址鎖存訊號ale用來分辨、鎖存命令或位址
5. 在cle上公升沿，命令被鎖存
6. 在ale上公升沿，位址被鎖存
二、儲存組織形式
1. nand晶元內部分為die, plane,block, page
2. chip是指晶元，乙個封裝好的晶元就是乙個chip
3. die是晶圓上的小方塊，乙個晶元裡可能封裝若干個die，
因為flash的工藝不一樣，技術不一樣。由此產生了die
的概念。常見的有mono die，a die。 b die等，乙個chip包括n個die
4. plane是nand可以依據讀、寫、擦除等命令進行操作的最小單位
乙個plane就是乙個儲存矩陣。包括若干個block
5. block是nandflash的最小擦除單位，乙個block包括了若干個page
6. page是nandflash的最小讀寫單位。乙個page包括若干個byte
oob/spare area
每個頁，相應另一塊區域。叫做空暇區域（sparearea）。在linux系統中。一般叫做oob（out of band）。
資料在讀寫的時候相對easy錯誤，所以為了保證資料的正確性。必需要有相應的檢測和糾正機制，此機制叫做ecc/edc，所以設計了多餘的區域，用於存放資料的校驗值。
oob的讀寫是隨著隨著頁的操作一起完畢的。
oob的詳細用途包含下面幾個方面：
► 標記所處的block是否為壞塊
► 儲存ecc資料
► 儲存一些和檔案系統相關的資料。如jaffs2就會用到這些空間儲存一些
特定資訊。而yaffs2檔案系統。會在
oob中存放非常多和自己檔案系統相
關的資訊
乙個16g的nand的儲存結構大致例如以下：
乙個16g的nandflash須要34位位址，而傳輸位址的io口是8位的。因此須要5個迴圈來傳輸位址資訊。
nand flash中的壞塊
nand flash 中。乙個塊中含有1 個或多個位是壞的，就稱為其為壞塊bad block。壞塊的穩定性是無法保證
的。也就是說，不能保證你寫入的資料是對的。或者寫入對了。讀出來也不一定對的。與此相應的正常的塊。肯定
是寫入讀出都是正常的。
壞塊有兩種：
（1）出廠時就有存在的壞塊：
一種是出廠的時候。也就是，你買到的新的，還沒用過的nand flash，就能夠包括了壞塊。此類出廠時就 有的壞塊，被稱作factory (masked) bad block 或initial bad/invalid block，在出廠之前，就會做相應的標記，
標為壞塊。
（2） 使用過程中產生的壞塊：
第二類叫做在使用過程中產生的，因為使用過程時間長了，在擦塊除的時候，出錯了，說明此塊壞了，也
要在程式執行過程中，發現。而且標記成壞塊的。詳細標記的位置。和上面一樣。這類塊叫做worn-out
bad block。即用壞了的塊。
slc和mlc的實現機制
nandflash依照內部儲存資料單元的電壓的不同層次。也就是單個記憶體單元中。是儲存1位資料，還是多位數 據，能夠分為slc和mlc。
► slc（single level cell）
單個儲存單元僅僅儲存1位，表示1或0。
對於nand flash寫入1，就是控制externalgate去充電。使得儲存的電荷夠多，超過閾值vth，就表示1了。
而對於寫入0。就是將其放電。電荷降低到小於vth，就表示0了
► mlc（multi level cell）
與slc相應的，就是單個儲存單元能夠儲存多個位。比方2位、4位等。
事實上現機制就是，通過控制內部電荷
的多少。分成多個閾值，從而儲存為不同的資料。
單個儲存單元能夠儲存2位資料的，稱作2的2次方 = 4 levelcell
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