低電壓nand flash介紹
隨著可攜式裝置和穿戴式裝置的興起，產品對於功耗的要求也是越來越嚴格，基本這類裝置對於待機時間，工作時間都有相應的要求。然而普通的nand flash的供電電壓是3.3v，這樣就導致整個nand flash在讀和寫的時候，功耗會比較大。如果系統要頻繁從nand flash中獲取資料，這樣對於整個nand flash的功耗又會增加，據此原因，ato針對這類應該開發出來了1.8v的低電壓，低功耗nand flash。
下面主要說明一下，ato 1.8v 1gb nand flash的規格以及和3.3v nand flash的對比。
圖1 3.3v nand flash的直流特性的指標
圖2 1.8v nand flash的直流特性指標。
從上面兩個圖的對比可以看出，讀，寫，操作操作時，電流的指標是一樣的。但是1.8v的電壓值幾乎是一半與3.3v，故功耗也幾乎是3.3v 的一半。
所以，對於功耗的節省是非常明顯的。
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