總結考慮到整機的成本因素，許多功率變換器使用了半導體併聯方案。併聯的均流問題一直是乙個技術熱點，目前新型半導體器件也越來越多，除了軟體的控制外，硬體上什麼型別的半導體適合併聯？哪些不適合併聯也值得討論下。
中間過程只是個記錄，可以直接看結論。
功率半導體的管壓降隨著溫度的不同會呈現不同的特性。管壓降的變化與溫度變化成正比，為正溫度係數。也即溫度公升高 - >管壓降增大；溫度降低 -> 管壓降減小。反之為負溫度係數。
正溫度系統的半導體，兩個或多個併聯時，當其中乙個電流應力偏大，則會導致器件溫度公升高，從而導致管壓降公升高；由於器件是併聯的，管壓降高的器件會分的更少的電流，從而導致溫度降低，形成負反饋，達到動態均流。
而負溫度係數的半導體則會形成正反饋。
常見的功率半導體：
si igbt
si mos
sic mos
si rectify
sic schottky
si igbt
以英飛凌 ff450r12me4 igbt模組為例，如下圖。
在相同電流的情況下，溫度公升高vce增大，為正溫度系統器件。
以英飛凌ipb60r099cpa 為例，如下圖。
以vgs=20v這條線，
25°時，id=50a，vds大約有6v；
150°時，id=50a，vds大約有15v；
溫度公升高，管壓降增大，為正溫度系統
下圖分別是cree的c3d10060a 和 rohm的sct3022klhr
150°的管壓降都比25°大，都為正溫度係數
以西門康skd146系列整流橋為例，
25°的vf比150°大，屬於負溫度係數。
下圖是on的ntsb40200ctg，溫度越低，vf越大，為負溫度係數。
下圖是rohm的scs220kghr sic肖特基二極體，為正溫度係數。
1，從以上可以看出，igbt，mos（矽，碳化矽），都屬於正溫度器件。而普通的矽二極體屬於負溫度係數器件，但是碳化矽肖特基二極體屬於正溫度係數。
2，igbt已經發展了很多代，有些參雜方式的igbt屬於負溫度系統，只是這個短文沒討論。遇到任何器件都一定要仔細看規格書。
3，碳化矽肖特基二級掛為正溫度係數，適合併聯使用，這個跟傳統的矽器件不一樣，使用時要注意。
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