stm32的flash除了可以燒寫如程式外，還可以供給使用者做儲存器，儲存引數用，但是要注意的是，flsah的擦寫次數是有限制的，10萬次。
stm32f1系列微控制器核心是cortext-m3系列的，其儲存器的對映是按照cortext-m3的標準設計的，如下圖。
從上圖可看出最下main的512m是分配給code 即程式儲存區. 其內部分配如下圖。
從上圖可以看到flash的起始位址是：0x0800 0000 到 0x0807 ffff ，126m的flash空間。stm32按頁來程式設計擦寫flash,如我的 stm32f103rct6 sram為48kb，flash有256k. 分頁是2kb一頁來設計的，而又的小容量的微控制器是1kb一頁。
可以算出127+1=128*2kb=256kb。
//flash讀寫**如下 寫之前要擦除一整頁的資料。寫入資料要傳入乙個32位的位址，一次寫入1個16位的資料(半字)。
//u32 addr - flash位址
//u16 dat - 寫入資料
//有關stm32f103rct6的flash詳細情況學習，請看我的筆記。
void flash_write(u32 addr, u16 dat)
//從flash讀取半個字
u16 flash_read_halfword(u32 addr)
有關資料儲存讀取的可靠性思考。一直以來，見過我司好多儀表的引數儲存，都是直接一次寫入到eeprom或者flash中。 在設計時不考慮到，當程式正在寫入引數斷電時或上電抖動造成引數的儲存和讀取失效。這種失效後的保護機制如何設計？
拿stm32來說，如果flash充裕，可以將資料儲存在3個頁。(最好3個不連續的位置)。
1：存資料邏輯。對要寫入的資料按模組或整體做校驗，校驗碼作為存入引數的一部分，要寫入flash。
存入第1個頁，存好後，立刻讀取，判斷是否存好。然後依此操作存後面2頁資料。
2：讀資料邏輯。讀取第1頁資料後，做校驗，看資料是否正確，如果不正確讀後面2個。如果所有的頁，資料都不正確，那麼就使用程式原**內值.同時產品要報出引數讀取錯誤狀態。
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