flash模組組織
儲存器被組織為程式儲存器模組，資料eeprom模組和資訊塊。
程式儲存器塊分為4 kb的扇區，每個扇區都是進一步分成16頁，每頁256位元組。
該操作用於擦除程式儲存器中的頁面（64個字）。要做到這一點：
●解鎖flash_pecr暫存器
1.將pekey1 = 0x89abcdef寫入程式設計/擦除金鑰暫存器（flash_pekeyr）
2.將pekey2 = 0x02030405寫入程式設計/擦除金鑰暫存器（flash_pekeyr）
●解鎖程式儲存器
●解鎖flash_pecr暫存器
1. 將prgkey1 = 0x8c9daebf寫入程式儲存器金鑰暫存器
（flash_prgkeyr）
2.將prgkey2 = 0x13141516寫入程式儲存器金鑰暫存器
（flash_prgkeyr）
●將flash_pecr暫存器中的erase位置1
●設定flash_pecr暫存器中的prog位選擇程式頁面
●等待bsy位清零
●將0x0000 0000寫入程式頁的第乙個字以擦除
注意：該功能可以從兩個儲存體，ram或外部儲存器執行。
這個操作用來寫乙個字到程式儲存器，假設它是
先前被刪除。要做到這一點：
●解鎖flash_pecr暫存器
●解鎖程式儲存器
●將乙個字寫入程式儲存器中的有效位址。
**：(注釋刪了，上傳後全是亂碼
flash.c:
#include "flash.h"
#include "main.h"
#define u32 uint32_t
#define u16 uint16_t
#define u8 uint8_t
#define pekey1 0x89abcdef
#define pekey2 0x02030405
#define prgkey1 0x8c9daebf
#define prgkey2 0x13141516
extern char teemp;
void writeflashtest(u32 dataxaddr,u8 write_data,u32 size)
{ u32 i;
u32 temp;
u16 t=0;
u32 fwaddr=dataxaddr;
u8 *dfu=write_data;
hal_flash_unlock();
flash_eraseinittypedef f;
f.typeerase = flash_typeerase_pages;
f.pageaddress = dataxaddr;
f.nbpages = 1;
uint32_t pageerror = 0;
hal_flashex_erase(&f, &pageerror);
hal_flash_lock();
hal_flash_unlock();
for(t=0;tflash.h:
#include "main.h"
#include "stm32l1xx_hal_flash_ramfunc.h"
#define u32 uint32_t
#define u16 uint16_t
#define u8 uint8_t
void flash_erase_pages(u32 erase_address);
void writeflashtest(u32 dataxaddr,u8 write_data,u32 size);
u8 flash_read_data(u32 dataxaddr);
unsigned char flash_write_data(u32 dataxaddr,u32 write_data);
stm32 讀寫內部Flash
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