stm32學習筆記

2021-08-21 10:46:49 字數 705 閱讀 2912

開漏模式輸出:輸出暫存器上的 0 啟用 n-mos,而輸出暫存器上的 1 將埠 置於高阻狀態(p-mos從不被啟用)。

推挽模式輸出:輸出暫存器上的 0 啟用 n-mos,而輸出暫存器上的 1 將啟用 p-mos。

上拉輸入:

輸入高電平,然後接乙個

上拉電阻

(保護作用)

,讀取此時的引腳電平為高電平

下拉輸入:

指輸入接低電平,然後接乙個

下拉電阻

,讀取此時的引腳電平為低電平

大端格式(

如16bit的數0x1234在big-endian下儲存,假設位址從0x4000開始存放

記憶體位址

0x4000

0x4001

儲存內容 34

12注:因為在儲存器中,資訊的儲存單位是:位元組(byte);1 bite=8 bit,2^4=16,所以乙個儲存單元可以儲存兩個16進製制數。

小端格式(little-endian、小字節序、低位元組序):資料的高位儲存在記憶體的高位址中,資料的低位儲存在記憶體的低位址中。

如32bit的數0x12345678在little-endian下儲存,假設位址從0x4000開始存放

記憶體位址

0x4000

0x4001

0x4002

0x4003

儲存內容 12

34 56

78

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