mos管
mos管的內部結構如下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子(多子)參與導電，是單極型電晶體。導電機理與小功率mos管相同，但結構上有較大區別，小功率mos管是橫向導電器件，功率mosfet大都採用垂直導電結構，又稱為vmosfet，大大提高了mosfet器件的耐壓和耐電流能力。
其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型mos管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大於閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道mos管。n溝道耗盡型mos管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道mos管。
3.1mos管的輸入、輸出特性
對於共源極接法的電路，源極和襯底之間被二氧化矽絕緣層隔離，所以柵極電流為0。
圖(a)為共源極接法的電路，輸出特性曲線如右圖所示。
當vgs
3.2mos管的導通特性
mos管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於mos管是電壓控制項，所以主要由柵源電壓ugs決定其工作狀態。下面以nmos
管為例介紹其特性。
圖 (a)為由nmos
增強型管構成的開關電路。
nmos
的特性，vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4v或10v就可以了。
pmos的特性，vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接vcc時的情況(高階驅動)。但是，雖然pmos可以很方便地用作高階驅動，但由於導通電阻大，**貴，替換種類少等原因，在高階驅動中，通常還是使用nmos。
mos管的工作原理(以n溝道增強型mos場效電晶體)它是利用vgs來控制「感應電荷」的多少，以改變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交介面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的n區接通，形成了導電溝道，即使在vgs=0時也有較大的漏極電流id。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流id隨著柵極電壓的變化而變化。
知識延伸
按溝道材料型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種;按導電方式：mos管又分耗盡型與增強型，所以mos場效應電晶體分為n溝耗盡型和增強型;p溝耗盡型和增強型四大類。
mos管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。而且由mos管構成的cmos感測器為相機提供了越來越高的畫質，成就了更多的「攝影家」。
1、mos管的開關損耗-反激式分析
描述：利用反激式分析mos管的開關損耗
2、mosfet的工作原理
描述：功率mosfet的結構和工作原理
3、mos、三極體用作開關時的區別聯絡
描述：mos管、三極體用作開關時的區別聯絡
MOS管工作原理
在使用mos管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮mos的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但並不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。下面是我對mosfet及mosfet驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原...
MOS管工作原理
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場效電晶體工作原理
一 場效電晶體是利用迴路的電場效應來控制輸出迴路的一種半導體器件 由於它僅靠半導體的多數載流子導電，又稱單極性電晶體，效應管分為n溝道型和p溝道型 d 漏極 s 源極 g 柵極 結形場效電晶體工作原理 為使n溝道型場效電晶體正常工作 應在柵源之間加負向電壓 以保證耗盡層承受反向電壓 在婁源之間加正向...